[发明专利]用于多区域底座加热器的方法及装置

权利要求书

1.一种用于处理腔室的多区域底座加热器，所述多区域底座加热器包含：

加热器板，所述加热器板包括：

第一区域，所述第一区域包括第一加热元件与第一热电偶，所述第一热电偶用以感测所述第一区域的温度，其中所述第一区域设置在所述加热器板的中心处；及

第二区域，所述第二区域包括第二加热元件与第一嵌入的热电偶，所述第一嵌入的热电偶用于感测所述第二区域的温度，其中所述第一嵌入的热电偶包括第一纵向块，所述第一纵向块从所述加热器板的中心延伸到所述第二区域，并且所述第一纵向块完全地被包围在所述加热器板内。

2.如权利要求1所述的多区域底座加热器，其特征在于，所述加热器板还包含：

第三区域，所述第三区域包括第三加热元件与第二嵌入的热电偶，所述第二嵌入的热电偶用于感测所述第三区域的温度，其中所述第二嵌入的热电偶包括第二纵向块，所述第二纵向块从所述加热器板的中心延伸到所述第三区域，并且所述第二纵向块完全地被包围在所述加热器板内。

3.如权利要求1所述的多区域底座加热器，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料具有足以产生电压信号的塞贝克系数差，所述电压信号代表足以影响半导体处理的加热器板温度变化。

4.如权利要求1所述的多区域底座加热器，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料具有大于烧结工艺温度的熔点，所述烧结工艺温度用于形成所述加热器板。

5.如权利要求1所述的多区域底座加热器，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料具有的热膨胀速率约等于所述加热器板的热膨胀速率。

6.如权利要求1所述的多区域底座加热器，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料包括钨-5％铼合金(W5Re)与钨-26％铼合金(W26Re)。

7.如权利要求1所述的多区域底座加热器，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，

其中所述材料具有足以产生电压信号的塞贝克系数差，所述电压信号代表足以影响半导体处理的加热器板温度变化，

其中所述材料具有大于烧结工艺温度的熔点，所述烧结工艺温度用以形成所述加热器板，及

其中所述材料具有的热膨胀速率约等于所述加热器板的热膨胀速率。

8.一种用于底座加热器的多区域加热器板，所述底座加热器可用于半导体处理腔室中，所述加热器板包含：

第一区域，所述第一区域包括第一加热元件与第一热电偶，所述第一热电偶用于感测所述第一区域的温度，其中所述第一区域设置在所述加热器板的中心处；及

第二区域，所述第二区域包括第二加热元件与第一嵌入的热电偶，所述第一嵌入的热电偶用于感测所述第二区域的温度，其中所述第一嵌入的热电偶包括第一纵向块，所述第一纵向块从所述加热器板的中心延伸到所述第二区域，并且所述第一纵向块完全地被包围在所述加热器板内。

9.如权利要求8所述的多区域加热器板，其特征在于，所述多区域加热器板还包含：

第三区域，所述第三区域包括第三加热元件与第二嵌入的热电偶，所述第二嵌入的热电偶用于感测所述第三区域的温度，其中所述第二嵌入的热电偶包括第二纵向块，所述第二纵向块从所述加热器板的中心延伸到所述第三区域，并且所述第二纵向块完全地被包围在所述加热器板内。

10.如权利要求8所述的多区域加热器板，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料具有足以产生电压信号的塞贝克系数差，所述电压信号代表足以影响半导体处理的加热器板温度变化。

11.如权利要求8所述的多区域加热器板，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料具有大于烧结工艺温度的熔点，所述烧结工艺温度用于形成所述加热器板。

12.如权利要求8所述的多区域加热器板，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料具有的热膨胀速率约等于所述加热器板的热膨胀速率。

13.如权利要求8所述的多区域加热器板，其特征在于，所述第一纵向块包括两个不同纵向块的材料，并且其中所述材料包括钨-5％铼合金(W5Re)与钨-26％铼合金(W26Re)。