[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管器件，具备以相互隔开间隔的状态相邻配置的第1薄膜晶体管元件和第2薄膜晶体管元件，

各薄膜晶体管元件具备：

栅电极；

源电极和漏电极，其层叠形成在所述栅电极的上方，在与层叠方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置；

绝缘层，其插置在所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间；和

半导体层，其形成在所述源电极与所述漏电极之间的间隙以及所述源电极和所述漏电极上，与所述源电极和所述漏电极紧密接触，

在所述第1薄膜晶体管元件中的所述半导体层与所述第2薄膜晶体管元件中的所述半导体层之间，形成有对彼此之间进行区划的隔壁，

所述隔壁分别围绕所述第1薄膜晶体管元件中的所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分和第2薄膜晶体管元件中的所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分，且表面具有拨液性，

将通过围绕所述第1薄膜晶体管元件中的所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第1开口部，将通过围绕所述第2薄膜晶体管元件中的所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第2开口部时，

在所述隔壁，在以隔开间隔的状态与所述第1开口部相邻的一侧、且与所述第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，

所述第3开口部在其内部不形成半导体层，不是作为沟道部发挥功能的部分，

在俯视所述第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部内露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置，与所述第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与所述第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，

在俯视所述第1开口部的底部和所述第2开口部的底部的情况下，对于所述第1开口部和所述第2开口部的一方，在其底部露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置，与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比，向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，

在所述第1开口部的底部，在与所述第3开口部相邻的一侧，存在所述绝缘层与所述半导体层直接接触而所述源电极和所述漏电极都不介于其间的部位。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管器件，

在所述第1开口部的底部，所述绝缘层与所述半导体层直接接触而所述源电极和所述漏电极都不介于其间的部位，也存在于所述不同侧，

在俯视所述第1开口部的底部的情况下，以所述第1开口部底部的中心位置为基准，与所述第3开口部相邻的一侧的所述绝缘层与所述半导体层直接接触的部位的面积大于所述不同侧的所述绝缘层与所述半导体层直接接触的部位的面积。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，

在俯视所述第1开口部的底部和所述第2开口部的底部的情况下，对于所述第1开口部和所述第2开口部的另一方，在其底部露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置，与所述另一方的开口部底部的面积的中心位置相比，也向与所述一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，

所述第3开口部、所述第1开口部以及所述第2开口部在俯视时按该顺序直列配置，

在所述第1开口部内露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置，与所述第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与所述直列配置的方向交叉的方向上的一方侧远离，

在所述第2开口部内露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置，与所述第2开口部底部的面积的中心位置相比，向与所述直列配置的方向交叉的方向上的一方侧远离。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管器件，

所述第1开口部内的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置远离于所述第1开口部底部的面积的中心位置的方向、与所述第2开口部内的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置远离于所述第2开口部底部的面积的中心位置的方向为反向。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，

在俯视所述第1开口部的底部的情况下，所述源电极和所述漏电极的一方的表面积的中心位置与所述第1开口部底部的中心位置相比向与所述第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，所述源电极和所述漏电极的另一方的表面积的中心位置位于所述第1开口部底部的中心位置。