[发明专利]电子元件用绝缘材料形成用组合物、电子元件用绝缘材料、电子元件及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种电子元件用绝缘材料形成用组合物，其包含具有两个以上的(甲基)丙烯酰基部位和多环的脂环式结构的单体作为聚合性成分。

2.根据权利要求1所述的电子元件用绝缘材料形成用组合物，其中，所述多环的脂环式结构为金刚烷骨架。

3.根据权利要求1所述的电子元件用绝缘材料形成用组合物，其中，所述多环的脂环式结构为三环[5.2.1.0^2，6]癸烷骨架。

4.根据权利要求2所述的电子元件用绝缘材料形成用组合物，其中，所述单体的结构以下述式(I)或(II)表示，

式中，R表示氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基，X表示氟原子、甲基、三氟甲基或两个X共同形成的＝O，Y表示甲基或两个Y共同形成的＝O，R¹、R²分别独立地表示氢原子、卤素原子或碳原子数1～5的烷基，

p为0～6的整数，m为0～14的整数，n为2以上的整数，t为0～14的整数，u为0～14的整数，s为2以上的整数，多个X及Y可以分别相同或不同，

Z₁表示式-C_(q+r)F_2qH_2r-所表示的基团，其中，q为0～4的整数，r为0～4的整数，Z₂表示单键或下述式(II-1)或(II-2)所表示的基团，

式中，R³、R⁴分别独立地表示氢原子、卤素原子或碳原子数1～5的烷基，v为1～4的整数。

5.根据权利要求4所述的电子元件用绝缘材料形成用组合物，其中，

在式(I)中，X表示甲基、三氟甲基或两个X共同形成的＝O，R¹和R²为氢原子，

在式(II)中，t为6～14的整数，u为0～9的整数，

在式(II-1)及式(II-2)中，R³和R⁴为氢原子。

6.一种电子元件用绝缘材料，其包含使权利要求1～5中任意一项所述的电子元件用绝缘材料形成用组合物固化而得到的高分子材料。

7.一种电子元件，其使用权利要求6所述的电子元件用绝缘材料作为平坦化膜、钝化膜、层间绝缘膜或栅绝缘膜。

8.一种薄膜晶体管，其为具有栅电极、源电极及漏电极这三个端子、绝缘体层以及半导体层且通过对栅电极施加电压来控制源电极-漏电极之间的电流的薄膜晶体管，其特征在于，使用权利要求6所述的电子元件用绝缘材料作为绝缘体层。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层包含有机半导体。