[发明专利]光电转换元件、制造光电转换元件的方法和电子设备

权利要求书

1.一种光电转换元件，包括其中电解质层形成在多孔电极和对电极之间的结构，其中选自GuOTf、EMImSCN、EMImOTf、EMImTFSI、EMImTfAc、EMImDINHOP、EMImMeSO₃、EMImDCA、EMImBF₄、EMImPF₆、EMImFAP、EMImEt₂PO₄和EMImCB₁₁H₁₂的至少一种第一添加剂被加到所述电解质层中。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中所述电解质层具有含有电解液的多孔膜。

3.如权利要求2所述的光电转换元件，其中所述多孔膜具有非织造物。

4.如权利要求3所述的光电转换元件，其中所述非织造物具有聚烯烃、聚酯或纤维素。

5.如权利要求4所述的光电转换元件，其中所述多孔膜具有不小于80%和小于100%的孔隙率。

6.如权利要求5所述的光电转换元件，其中pK_a为6.04≤pK_a≤7.3的第二添加剂被加到所述电解液中和/或pK_a为6.04≤pK_a≤7.3的第二添加剂被吸附在所述多孔电极和所述对电极中的至少一个的面对所述电解质层的表面上。

7.如权利要求6所述的光电转换元件，其中第二添加剂是吡啶系添加剂或具有杂环的添加剂。

8.如权利要求7所述的光电转换元件，其中第二添加剂是选自2-氨基吡啶、4-甲氧基吡啶、4-乙基吡啶、N-甲基咪唑、2,4-二甲基吡啶、2,5-二甲基吡啶、2,6-二甲基吡啶、3,4-二甲基吡啶和3,5-二甲基吡啶中的至少一种。

9.如权利要求6所述的光电转换元件，其中所述电解液的溶剂具有不小于47.36的分子量。

10.如权利要求9所述的光电转换元件，其中所述溶剂是3-甲氧基丙腈、甲氧基乙腈或者乙腈和戊腈的混合液。

11.如权利要求1所述的光电转换元件，其中所述光电转换元件是具有结合到所述多孔电极上的光增感色素的色素增感型光电转换元件。

12.如权利要求11所述的光电转换元件，其中所述多孔电极由半导体的粒子构成。

13.如权利要求1所述的光电转换元件，其中所述电解质层含有电解液，和所述电解液的溶剂含有具有电子接受性官能团的离子性液体和具有电子供给性官能团的有机溶剂。

14.如权利要求1所述的光电转换元件，其中所述多孔电极由粒子构成，所述粒子包括具有金属的芯和具有包围所述芯的金属氧化物的壳。

15.一种制造光电转换元件的方法，包括：形成其中通过加入选自GuOTf、EMImSCN、EMImOTf、EMImTFSI、EMImTfAc、EMImDINHOP、EMImMeSO₃、EMImDCA、EMImBF₄、EMImPF₆、EMImFAP、EMImEt₂PO₄和EMImCB₁₁H₁₂的至少一种第一添加剂获得的电解质层设置在多孔电极和对电极之间的结构。

16.一种电子设备，包括：

至少一种光电转换元件，其中所述光电转换元件具有其中电解质层形成在多孔电极和对电极之间的结构，和选自GuOTf、EMImSCN、EMImOTf、EMImTFSI、EMImTfAc、EMImDINHOP、EMImMeSO₃、EMImDCA、EMImBF₄、EMImPF₆、EMImFAP、EMImEt₂PO₄和EMImCB₁₁H₁₂的至少一种第一添加剂被加到所述电解质层中。

17.一种光电转换元件，包括：

其中电解质层形成在多孔电极和对电极之间的结构，其中具有下面的式(1)、(2)或(3)代表的阳离子和下面的阴离子中任一种的至少一种第一添加剂(除了GuSCN之外)被加到所述电解质层中：

(A)阳离子

[式15]

R₁～R₆=H或具有1～20个碳原子的烃基

[式16]

R₁～R₅=H或具有1～20个碳原子的烃基

[式17]

R₁～R₂=H或具有1～20个碳原子的烃基

(B)阴离子

SCN、[DCA]、BF₄、PF₆、[TfAc]、[OTf]、[TFSI]、[MeSO₃]、[MeOSO₃]、[HSO₄]、[FAP]、[DA]、[DPA]、[DINHOP]、[FSI]、[DEPA]、[cheno]、[Et₂PO₄]、CB₁₁H₁₂、[COSAN]、[cyclicTFSI]、C₂F₅SO₃、C₃F₇SO₃、C₄F₉SO₃、N(C₃F₇SO₂)₂、N(C₄F₉SO₂)₂、氟离子、氯离子、溴离子和碘离子。