[发明专利]压接型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种压接型半导体装置的制造方法，该压接型半导体装置包括：半导体元件，该半导体元件在上表面至少形成有第1电极、且在其下表面至少形成有第2电极；以及一对引线框构件，该一对引线框构件分别与所述半导体元件的所述第1电极及所述第2电极相对，其特征在于，该压接型半导体装置的制造方法具备：

镀覆形成工序，在该镀覆形成工序中，在与所述半导体元件的所述第1电极或所述第2电极相对的规定的、至少一个所述引线框构件的表面上，形成金属多孔镀覆层；以及

压接接合工序，在该压接接合工序中，对所述金属多孔镀覆层、和与所述金属多孔镀覆层相对的所述半导体元件的所述第1电极或所述第2电极进行压接接合。

2.如权利要求1所述的压接型半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属多孔镀覆层的空孔呈现为所述压接接合工序中在压接方向上的长度比在与所述压接方向相垂直的方向上的长度要长的形状。

3.如权利要求1或2所述的压接型半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述镀覆形成工序中所形成的所述金属多孔镀覆层的厚度为10～200μｍ，且孔隙率为20～70％。

4.一种压接型半导体装置，其特征在于，包括：

半导体元件，该半导体元件在上表面上至少具有第1电极，并在其下表面上至少具有第2电极；

一对引线框构件，该一对引线框构件分别被配置成与所述半导体元件的所述第1电极及所述第2电极相对；以及

压力施加构件，该压力施加构件在利用所述一对引线框构件来夹持所述半导体元件的状态下，对所述一对引线框构件施加压力，

在至少一个所述引线框构件的、与所述第1电极或所述第2电极相对的表面上，形成有金属多孔镀覆部。

5.如权利要求4所述的压接型半导体装置，其特征在于，

所述压力施加构件所施加的所述压力比使所述金属多孔镀覆部从弹性区域变化到塑性区域的压力要小。

6.如权利要求4所述的压接型半导体装置，其特征在于，

所述压力施加构件所施加的所述压力比损坏所述半导体元件的压力也要小。

7.如权利要求4所述的压接型半导体装置，其特征在于，

所述金属多孔镀覆部利用镍的多孔镀覆来形成。