[发明专利]具有第一LED芯片和第二LED芯片的LED照明设备及其制造方法无效
| 申请号: | 201280008414.8 | 申请日: | 2012-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN103348176A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
| 发明(设计)人: | 马丁·鲁道夫·贝林格;埃尔马·鲍尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | F21K99/00 | 分类号: | F21K99/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 第一 led 芯片 第二 照明设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种LED照明设备(10),具有至少一个第一LED芯片(1)和至少一个第二LED芯片(2),其中,
-所述第一LED芯片(1)适合于发射具有第一辐射特性(A1)的辐射,
-所述第二LED芯片(2)适合于发射具有第二辐射特性(A2)的辐射,
-所述第一辐射特性(A1)和所述第二辐射特性(A2)具有与温度相关的变化(ΔA1T,ΔA2T),并且
-所述第一辐射特性(A1)的与温度相关的变化(ΔA1T)和所述第二辐射特性(A2)的与温度相关的变化(ΔA2T)在工作时至少部分地补偿或互相同步地进行,使得由所述LED发光设备(10)发射的混合辐射(Ag)的色坐标是稳定的。
2.根据权利要求1所述的LED照明设备,其中,所述LED照明设备(10)在工作时与温度无关地发射相同颜色的光(Ag)。
3.根据权利要求1所述的LED照明设备,其中,所述LED照明设备(10)与温度无关地发射具有恒定的色坐标的混合辐射(Ag)。
4.根据上述权利要求之一所述的LED照明设备,其中,所述辐射特性(A1,A2)的所述变化(ΔA1T,ΔA2T)是所发射的波长的偏移和/或功率变化。
5.根据上述权利要求之一所述的LED照明设备,其中,所述第一辐射特性(A1)的与温度相关的变化(ΔA1T)和所述第二辐射特性(A2)的与温度相关的变化(ΔA2T)反向地或与其同步地进行。
6.根据上述权利要求之一所述的LED照明设备,其中,所述第一LED芯片(1)发射薄荷色的辐射。
7.根据上述权利要求之一所述的LED照明设备,其中,所述第二LED芯片(2)发射琥珀色的辐射。
8.根据上述权利要求之一所述的LED照明设备,发射在白色光谱范围中的所述混合辐射(Ag)。
9.一种用于制造至少一个LED照明设备(10)的方法,所述LED照明设备(10)包括第一LED芯片(1)和第二LED芯片(2),所述方法具有以下方法步骤:
-制造多个第一LED芯片(1),所述第一LED芯片(1)适合于分别发射具有第一辐射特性(A1)的辐射;
-制造多个第二LED芯片(2),所述第二LED芯片(2)适合于分别发射具有第二辐射特性(A2)的辐射;
-测量所述第一LED芯片(1)的所述第一辐射特性(A1)的与温度相关的变化(ΔA1T);
-测量所述第二LED芯片(2)的所述第二辐射特性(A2)的与温度相关的变化(ΔA2T);以及
-将所述LED芯片(1,2)组合成分别具有至少一个第一LED芯片(1)和第二LED芯片(2)的组,使得所述第一LED芯片(1)的所述第一辐射特性(A1)的与温度相关的变化(ΔA1T)和所述第二LED芯片(2)的所述第二辐射特性(A2)的与温度相关的变化(ΔA2T)至少部分地补偿或互相同步地进行。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述LED照明设备(10)在工作时温度无关地发射相同颜色的光(Ag)。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中,所述第一LED芯片(1)构成为,使得所述第一LED芯片(1)对所述第二LED芯片(2)的所述第二辐射特性(A2)的与温度相关的变化(ΔA2T)进行补偿或同步。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,为了补偿,所述第一LED芯片(1)的n型接触部和p型接触部之间的横向距离增大。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,为了补偿,所述第一LED芯片(1)的工作电流增大。
14.根据上述权利要求9至13之一所述的方法,其中,以同一方法制成多个LED照明设备(10)。
15.根据权利要求14所述的方法,具有附加的方法步骤:
-LED照明设备(10)分别装配有LED芯片(1,2)的组。
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