[发明专利]薄膜器件的材料图案化工艺无效
申请号: | 201280008219.5 | 申请日: | 2012-02-24 |
公开(公告)号: | CN103348503A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 约翰·德弗兰科;迈克·米勒;福克斯·霍尔特 | 申请(专利权)人: | 正交公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;李春晖 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 器件 材料 图案 化工 | ||
1.一种形成器件的方法,包括:
a.提供一个基板;
b.在基板上沉积单个的氟化可光图案化层;
c.在基板上形成第一和第二有源层;
d.应用可光图案化层以在第一有源层以内形成第一图案,在第二有源层以内形成第二个不同的图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其中应用至少两个单独的氟化溶剂以独立地去除氟化可光图案化材料的一部分,从而在第一和二有源层以内产生不同的图案。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在基板上沉积一个非氟化可光图案化层,从而与氟化可光图案化层一起形成一个功能性的可光图案化双层。
4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括在氟化和非氟化可光图案化层之间沉积一个夹层,其中夹层影响照射透射率。
5.根据权利要求3所述的方法,进一步包括将可光图案化双层暴露于一个照射源,其提供三个或多个不同水平的照射以在可光图案化双层以内形成三个或更多个图案。
6.根据权利要求5所述的方法,其中应用第一个非氟化溶剂以去除非氟化可光图案化层以内的一个非氟化材料图案。
7.根据权利要求6所述的方法,其中在可光图案化双层之前,在基板上沉积第一和第二有源层,以及应用可光图案化层以便在第一有源层以内形成第一个图案和在第二有源层以内形成第二个不同图案的步骤包括:
a.将基板暴露于一个或多个溶剂以去除可光图案化双层以内的第一图案以内的氟化可光图案化层;
b.将基板暴露于第一蚀刻过程,以去除可光图案化层以内的三个或更多个图案的第一图案以内的第一有源层的至少第一部分;
c.将基板暴露于一个或更多个溶剂,以去除第二图案以内的可光图案化双层;
d.将基板暴露于第二蚀刻过程,以去除可光图案化层以内的三个或更多个图案的第二图案以内的第二有源层的至少第二部分;
8.根据权利要求7所述的方法,进一步包括将基板暴露于一个或更多个额外的溶剂,以去除可光图案化层以内的三个或更多个图案的至少第三图案以内的可光图案化双层;
9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括在基板上形成至少第三有源层,其中应用可光图案化层以在第一有源层以内形成第一图案,在第二有源层以内形成第二个不同的图案,在第三有源层以内形成不同于第一或第二图案的第三图案。
10.根据权利要求9所述的方法,其中第一、第二、第三有源层包含两个导电层和一个半导体。
11.根据权利要求6所述的方法,其中在可光图案化双层之前,在基板上沉积第一和第二有源层,以及应用可光图案化层以在第一有源层以内形成第一图案和在第二有源层以内形成第二个不同图案的步骤包括:
a.将基板暴露于非氟化溶剂和第一氟化溶剂,以去除可光图案化双层的第一图案以内的可光图案化双层;
b.在基板上沉积第一有源层;
c.将基板暴露于第二氟化溶剂,以去除第二图案以内的可光图案化双层,将第二图案所限定的区域以内的第一有源层提起剥离;
d.d)沉积基板的第二有源层;
e.将基板暴露于第三氟化溶剂,以去除第三图案以内的可光图案化双层,将第三图案所限定的区域以内的第二有源层提起剥离;
12.根据权利要求11所述的方法,其中第一有源层包含一个有机半导体,第二有源层包含一个导体,其在有机器件之内起着电极的作用。
13.根据权利要求12所述的方法,其中器件是OLED器件,具有两个独立可寻址层。
14.根据权利要求1所述的方法,其中第一和第二有源层二者至少之一是有机化合物,器件是有机器件。
15.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将可光图案化双层暴露于一个照射源,其提供三个或多个不同水平的照射以在可光图案化双层以内形成三个或更多个图案。
16.根据权利要求1所述的方法,其中照射源将氟化可光图案化层以内的不同区域暴露于三个或多个不同水平的照射,其中照射源包括:
a.一个面源和一个密度掩膜;
b.一个投射光源和一个密度掩膜;
c.一个平行光源和一个不同曝光的全息胶片,或
d.一个调制点源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择