[发明专利]具有增大的动态范围的差分相衬成像有效
申请号: | 201280007951.0 | 申请日: | 2012-02-02 |
公开(公告)号: | CN103348415A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | T·克勒;E·勒斯尔 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | G21K1/06 | 分类号: | G21K1/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 增大 动态 范围 差分相衬 成像 | ||
1.一种用于X射线差分相衬成像的分析光栅(34),包括吸收结构(48),所述吸收结构(48)具有:
-第一多个(50)第一区域(52),所述第一区域(52)具有第一X射线衰减;以及
-第二多个(54)第二区域(56),所述第二区域(56)具有第二X射线衰减;
其中,所述第二X射线衰减小于所述第一X射线衰减;
其中,以交替的方式周期性地布置所述第一区域和所述第二区域;
并且其中,第三多个(58)第三区域(60)被提供有第三X射线衰减,所述第三X射线衰减在从所述第二X射线衰减到所述第一X射线衰减的范围之内;并且
其中,每第二个所述第一区域或每第二个所述第二区域被一个所述第三区域取代。
2.根据权利要求1所述的分析光栅,
其中,所述第一区域是X射线不透明的;
其中,所述第二区域是X射线透明的;
其中,所述第三区域的X射线衰减小于所述第一区域的所述X射线衰减并且大于所述第二区域的所述X射线衰减。
3.根据权利要求1或2所述的分析光栅,其中,以4-跨步(70)提供包括第一多个、第二多个和第三多个的组中的两个,并且以2-跨步(72)提供包括所述第一多个和所述第二多个的组中的一个;其中,以4-跨步(70)提供所述第三多个。
4.根据权利要求1、2或3中任一项所述的分析光栅,其中,所述第二区域被提供为梳齿状结构(76)的条(74),所述梳齿状结构(76)的条(74)由具有低X射线衰减值的结构材料(78)制成;其中,所述第一区域被提供为具有第一深度(82)的第一狭缝(80),所述第一狭缝填充有具有高X射线衰减值的填充材料(84);其中,所述高衰减值大于所述低衰减值;并且其中,所述第三区域被提供为具有第二深度(88)的第二狭缝(86),所述第二深度(88)小于所述第一深度(82);其中,所述第二狭缝填充有所述填充材料。
5.一种用于X射线差分相衬成像的相位光栅(132),包括偏转结构(134),所述偏转结构(134)具有:
-第四多个(136)第四区域(138);以及
-第五多个(140)第五区域(142);
其中,以交替的方式周期性地布置所述第四区域和所述第五区域;
其中,提供所述第四区域以改变X射线辐射的相位和/或幅度;并且
其中,提供所述第五区域以调制所述X射线辐射的幅度。
6.根据权利要求5所述的相位光栅,其中,所述相位光栅被提供为梳齿状结构,所述梳齿状结构具有比硅更重的结构材料;其中,所述结构材料的原子序数和/或密度大于硅的原子序数和/或密度。
7.一种用于生成对象的差分相衬图像的X射线系统的探测器布置(20),包括:
-相位光栅(32),其具有相位光栅栅距pPG;
-分析光栅(34);以及
-探测器(36),其具有适于记录X射线辐射的强度变化的传感器;
其中,在辐射方向,所述分析光栅被布置在所述相位光栅之后,并且所述探测器被布置在所述分析光栅之后;
其中,所述相位光栅被提供有:
-第四多个(136)第四区域(138);以及
-第五多个(140)第五区域(142);
其中,提供所述第四区域,以改变X射线辐射的相位和/或幅度;
其中,使用相位光栅栅距pPG,以交替的方式周期性地布置所述第四区域和所述第五区域;
其中,根据权利要求1至4中任一项提供所述分析光栅;并且
其中,所述相位光栅和/或所述分析光栅适于以横向于所述偏转结构的方式,至少在通过所述相位光栅的所述X射线辐射的完整调制周期上步进。
8.根据权利要求7所述的探测器布置,其中,所述分析光栅栅距pAG匹配所述相位光栅栅距pPG。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦有限公司,未经皇家飞利浦有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280007951.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。