[发明专利]电容性近接传感器以及用于电容性近接检测的方法有效

专利信息
申请号: 201280007526.1 申请日: 2012-01-03
公开(公告)号: CN103339860A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 霍尔格·埃尔肯斯 申请(专利权)人: 微晶片科技德国第二公司
主分类号: H03K17/955 分类号: H03K17/955
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 电容 性近接 传感器 以及 用于 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种电容性近接传感器,其包括

第一传感器电极(E1)及第二传感器电极(E2),

信号产生器,其用于提供第一电交变信号及第二电交变信号,

第一负载元件,其包括第一电负载及第二电负载,其中可借助于所述第一电负载将所述第一电交变信号馈送到所述第一传感器电极(E1),且可借助于所述第二电负载将所述第二电交变信号馈送到所述第二传感器电极(E2),且其中每次所述电负载均与待在所述相应传感器电极(E1、E2)处测量的电容性负载共同形成低通滤波器,以及

信号处理装置(A),其与所述第一传感器电极(E1)且与所述第二传感器电极(E2)耦合,且其适于从在所述第一传感器电极(E1)处分接的第一电参数及在所述第二传感器电极(E2)处分接的第二电参数的推挽部分形成第一测量值。

2.根据权利要求1所述的近接传感器,其中所述信号处理装置(A1)包括第一放大电路(A1),所述第一放大电路(A1)优选地形成为全差分放大器且其选择所述第一电参数及所述第二电参数的所述推挽部分。

3.根据权利要求1或2所述的近接传感器,其中所述信号处理装置(A)适于从所述第一电参数与所述第二电参数之间的差形成所述第一测量值。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的近接传感器,其中所述第一电交变信号优选地具有与所述第二电交变信号相同的振幅,且/或其中所述第一电交变信号呈现与所述第二电交变信号优选地180°的相移。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的近接传感器,其中所述信号处理装置(A)进一步适于从在所述传感器电极(E1、E2)处分接的所述第一电参数及第二电参数的共模部分形成第二测量值。

6.根据权利要求5所述的近接传感器,其中用于形成所述第二测量值的所述信号处理装置(A)包括优选地形成为阻抗转换器的第二放大电路(A2),其中可给所述阻抗转换器的非反相输入馈送所述第一电参数与所述第二电参数的和。

7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的近接传感器,其进一步包括场扰动电极,可给所述场扰动电极馈送第三电交变信号。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的近接传感器,其进一步包括第三放大电路(A3),所述第三放大电路(A3)包括所述第一负载元件。

9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的近接传感器,其进一步包括与信号发射器耦合的第二负载元件,其中可将所述第二负载元件的输出信号馈送到所述信号处理装置(A)。

10.根据权利要求9所述的近接传感器,其进一步包括第四放大电路(A4),所述第四放大电路(A4)包括所述第二负载元件。

11.根据权利要求9或10中任一权利要求所述的近接传感器,其中所述传感器电极及所述第二负载元件的退出端与所述第一放大电路(A1)的进入端以一方式耦合使得所述第一放大电路(A1)在其退出端处提供在所述传感器电极处分接的所述信号与所述第二负载元件的所述输出信号之间的差。

12.根据权利要求11所述的近接传感器,其中

所述第一传感器电极(E1)与所述第三放大电路(A3)的反相退出端耦合,

所述第二传感器电极(E2)与所述第三放大电路(A3)的非反相退出端耦合,

可将所述第一电交变信号馈送到所述第三放大电路(A3)及所述第四放大电路(A4)的反相进入端,

可将所述第二电交变信号馈送到所述第三放大电路(A3)及所述第四放大电路(A4)的非反相进入端,

可将从在所述第一传感器电极(E1)处分接的所述电信号与所述第四放大电路(A4)的非反相退出端处的信号形成的第一复合信号馈送到所述第一放大电路(A1)的反相进入端,且

可将从在所述第二传感器电极(E2)处分接的所述电信号与所述第四放大电路(A4)的反相退出端处的信号形成的第二复合信号馈送到所述第一放大电路(A1)的非反相进入端。

13.根据权利要求11或12所述的近接传感器,其中所述第四放大电路(A4)的放大率为可调整的。

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