[发明专利]具有掺杂空穴导体层的有机半导体元件有效
| 申请号： | 201280006603.1 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103339753B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | G.施密德;J.H.威姆肯;R.凯勒曼;A.马尔坦伯格 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 空穴 导体 有机半导体 元件 | ||
1.具有至少一个有机空穴导体层(20)的半导体元件(10)，所述空穴导体层具有超酸盐的p-掺杂。
2.根据权利要求1所述的半导体元件(10)，其中，所述超酸盐为这样一种超酸的盐，其中所述超酸是酸常数pKa小于零、尤其小于-4的酸。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件(10)，其中，所述具有超酸盐的p-掺杂的空穴导体层(20)在掺杂浓度最高达20体积%时具有的比传导率至少为2.5·10-5S/m。
4.根据前述权利要求中任意一项所述的半导体元件(10)，其中，所述空穴导体层(20)在400nm至700nm波长范围中的吸收能力基本上并不因为超酸盐的p-掺杂而提高，从而对人眼的颜色影响保持不变。
5.根据前述权利要求中任意一项所述的半导体元件(10)，其中，所述超酸盐是超酸的金属盐。
6.根据前述权利要求中任意一项所述的半导体元件(10)，其中，所述超酸盐包括三氟磺酸盐，其中所述三氟磺酸盐是三氟甲磺酸的金属盐。
7.根据权利要求6所述的半导体元件(10)，其中，所述金属盐具有过渡金属的阳离子。
8.根据前述权利要求中任意一项所述的半导体元件(10)，其中，所述超酸盐包括三氟甲磺酸银(I)(Ag(I)TFMS)。
9.根据前述权利要求中任意一项所述的半导体元件(10)，其中，所述超酸盐包括三氟甲磺酸铜(II)(Cu(II)TFMS)。
10.所述半导体元件(10)的制备方法，其具有用于沉积所述具有超酸盐的有机空穴导体层(20)的步骤。
11.根据权利要求10的制备方法，其中，为了沉积所述空穴导体层(20)，基质材料和超酸盐在一个共同的步骤中一起沉积。
12.根据权利要求10或11所述的制备方法，其中，从气相中、尤其是通过热蒸发来沉积所述基质材料和所述超酸盐。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，通过共蒸发中超酸盐和基质材料的蒸发速率调节空穴导体层(20)的掺杂浓度。
14.根据权利要求10或11所述的制备方法，其中，从溶液中沉积所述基质材料和所述超酸盐。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其中，通过在沉积前的超酸盐和基质材料在溶液中的质量分数调节所述空穴导体层(20)的掺杂浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280006603.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于支撑大梁模板的脚手架横杆
- 下一篇：一种井下矿车液压倒矿装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
