[发明专利]用于光电器件的具有可变发射颜色的金属配合物

权利要求书

1.将在给定波长下发射的金属配合物的发射波长位移到大于所述给定波长的波长的方法，

其中所述金属配合物

-在最低激发单重(S₁)-态和下面的三重(T₁)-态之间的ΔE(S₁-T₁)-值小于2500cm^-1，

-在电子基态时在金属中心区域中具有给定几何形状，和

-在电子激发态时寻求几何形状改变，

所述方法包括将所述金属配合物嵌入允许所述给定几何形状改变的聚合基质中的步骤。

2.权利要求1的方法，其中

-作为第一反应物的金属配合物包含第一锚固基团种类的至少两个锚固基团，所述第一锚固基团种类用于将所述金属配合物共价嵌入所述聚合基质中，和

-用于形成聚合基质的第二反应物包含第二锚固基团种类的至少一个锚固基团，并且其中

通过所述金属配合物的所述至少两个锚固基团的每一个与所述第二反应物的所述第二锚固基团反应，实现所述金属配合物交联到聚合基质中。

3.权利要求1或2所述的方法，

其中所述金属配合物是式I的单核金属配合物或式II的双核金属配合物，并任选具有用于将所述金属配合物共价嵌入聚合基质中的锚固基团。原则上锚固基团可连接至金属配合物有机配体的任何位置，优选不在与金属中心配位的原子的邻位。

4.权利要求1至3所述的方法，

其中所述给定几何形状的改变是四面体配位向正方形平面配位的改变。

5.权利要求1至4所述的方法，其中所述金属配合物在电子激发态时的发射寿命为最多20μs。

6.权利要求1至5所述的方法，其中所述金属配合物作为固体的发射量子产率大于30％。

7.权利要求1至6所述的方法，其中所述发射波长因嵌入发生的位移为至少10nm。

8.权利要求1至7所述的方法，其中所述金属配合物通过嵌入到聚合基质中，其发射光谱加宽至少10nm。

9.权利要求1至8所述的方法，其中所述嵌入的金属配合物发射白光。

10.组合物，其包含

-发射金属配合物，其

-在最低激发单重(S₁)-态和下面的三重(T₁)-态之间的ΔE(S₁-T₁)-值小于2500cm^-1，

-在电子基态时在金属中心区域中具有给定几何形状，和

-在电子激发态时寻求几何形状改变，

和

-聚合基质，

其中金属配合物以使得所述金属配合物的给定几何形状通过电子激发改变的方式嵌入聚合基质中。

11.权利要求10的组合物，其中所述金属配合物和所述聚合基质通过互补的锚固基团联接。

12.权利要求10或11所述的组合物，其中所述金属配合物是式I的单核金属配合物或式II的双核金属配合物。

13.权利要求11的组合物，其中所述给定几何形状的改变是四面体配位向正方形平面配位的改变。

14.权利要求10至13所述的组合物，其中所述金属配合物在电子激发态时的发射寿命为最多20μs。

15.权利要求10至14所述的组合物，其中所述金属配合物在固体时的发射量子产率大于30％。

16.包含权利要求10至15的组合物的光电器件，其中所述光电器件选自有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEEC或LEC)、OLED传感器，尤其是没有与外界密封屏蔽的气体和蒸汽传感器、有机太阳能电池(OSC)、有机场效应晶体管、有机激光器、有机二极管、有机光电二极管和“下变频”系统。

17.权利要求1至9的方法或权利要求10至15的组合物在光电器件中的应用，其中所述光电器件选自有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEEC或LEC)、OLED传感器，尤其是没有与外界密封屏蔽的气体和蒸汽传感器、有机太阳能电池(OSC)、有机场效应晶体管、有机激光器、有机二极管、有机光电二极管和“下变频”系统。