[发明专利]自偏置射频电路装置

说明书

相关申请

本公开要求于2011年1月17日提交的第61/433,470号美国临时专利申请和于2012年1月11日提交的第13/348,397号美国专利申请的优先权，其公开通过引用的方式全部并入于此。

背景技术

在此所提供的背景描述是为了总体呈现本公开上下文的目的。除非在此另外指明，这一部分中所描述的方法不是本公开中的权利要求的现有技术并且不因为被包括在这一部分中而被承认为现有技术。

计算设备之间的无线通信通常作为射频(RF)信号传送。传送设备的通信(例如数据或介质控制信息)在作为RF信号经由天线广播之前被调制到射频并且被放大。通常因为RF信号由于天线的效率或传播的原因而具有劣化的信号强度，所以这些RF信号通常由接收设备放大以实现对RF信号的解调和对通信的恢复。然而，与放大RF信号相关联的电路装置可能由于电路装置内的高阻抗节点而具有稳定性的问题。虽然这些稳定性问题可以利用负反馈来解决，但是能够提供负反馈的电路装置通常是有源电路装置(例如运算放大器)。然而，为放大器电路添加有源反馈电路装置会增加设计的复杂度和放大器电路所消耗的衬底面积量，这可能导致增加的设计成本、制造成本和/或放大器功耗。

发明内容

提供了本发明内容以介绍下面在具体实施方式和附图中进一步描述的主题。因此，本发明内容不应当被认为是描述必要特征，也不应当被用于限制所要求保护的主题的范围。

描述了一种方法，该方法用于经由具有第一晶体管和第二晶体管的电路放大射频(RF)信号，并且在没有有源电路装置的情况下将另一信号从电路的输出提供至第一晶体管的栅极以偏置电路的输出处的电压，第一晶体管被配置为基于RF信号从电源向电路的输出发起电流，第二晶体管被配置为基于RF信号将电流从电路的输出吸收至电流宿。

描述了另一种方法，该方法用于将RF信号施加至第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的相应栅极，所述第一和第二MOSFET通过它们的相应漏极被可操作地串联连接在电源和电流宿之间；经由第一MOSFET向在所述漏极处形成的输出发起电流；经由第二MOSFET从在所述漏极处形成的输出吸收电流；并且在没有被可操作地连接在第一MOSFET的栅极与在第一和第二MOSFET的漏极处形成的输出之间的有源电路装置的情况下偏置所述输出处的电压。

描述了一种电路，该电路包括：两个p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)，所述两个pMOSFET被可操作地串联连接并被配置为从电流源向所述电路的输出发起；两个n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)，所述两个nMOSFET被可操作地串联连接并被配置为将电流从所述电路的输出吸收至电流宿；以及无源偏置电路装置，所述无源偏置电路装置被可操作地连接在所述电路的输出与所述pMOSFET中的一个pMOSFET的栅极之间以偏置所述电路的输出的电压。

在以下的附图和描述中陈述了关于一个或多个实现方式的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它特征和优点将是明显的。

附图说明

在以下的附图和具体实施方式中陈述了关于一个或多个实施方式的细节。在附图中，标号的最左边的数字标识该标号第一次出现在其中的附图。在描述和附图中的不同实例中使用相同的标号来表示相同的元件。

图1示出了根据一个或多个方面的具有无线设备的操作环境。

图2示出了图1中所示的无线接口的示例的详细方面。

图3示出了图2中所示的推挽电路装置的示例的详细方面。

图4示出了从电路的输出向电路的晶体管的栅极提供信号的方法。

图5示出了偏置由两个晶体管的栅极形成的输出的电压的方法。

图6示出了用于实现本文所描述的技术的方面的片上系统(SoC)环境。

具体实施方式

传统的放大电路在放大射频(RF)信号时使用有源电路装置来保持稳定性。这种有源电路装置(例如晶体管、二极管、运算放大器)增大了设计复杂度和放大电路所消耗的衬底面积量。本公开描述了用于自偏置的装置和技术，使得放大电路能够在没有有源反馈电路装置的情况下被实现。可以按这样一种方式从放大电路的输出向放大电路的增益单元提供信号以保持操作期间的稳定性，从而无需为放大电路添加有源电路装置。

下面的讨论描述了一种操作环境、可以在该操作环境中采用的技术以及该操作环境的要素可以在其中被实现的片上系统(SoC)。在下面的讨论中，仅通过示例的方式参考该操作环境。

操作环境