[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

基板；

设置在所述基板上的栅极电极；

设置在所述基板上、覆盖所述栅极电极的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上，在与所述栅极电极相对的位置形成有沟道部的氧化物半导体膜；

设置在所述氧化物半导体膜上，岛状地覆盖所述沟道部的沟道保护层；

设置在所述氧化物半导体膜上，隔着所述沟道部和沟道保护层互相分离地设置的源极电极和漏极电极；和

设置在所述源极电极和漏极电极的上层的层间绝缘膜，

所述薄膜晶体管基板的特征在于：

所述源极电极和漏极电极由铝合金膜或包含铝合金膜的层叠膜构成。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述沟道保护层具有遮光性。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述沟道保护层由包含具有遮光性的感光性树脂膜的多个膜的层叠体形成。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

构成所述层叠体的多个膜，为绝缘性树脂膜、该绝缘性树脂膜的上层的氧化物半导体膜和该氧化物半导体膜的上层的所述遮光性感光性树脂膜。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述沟道保护层由包含具有遮光性的金属膜的多个膜的层叠体形成。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

构成所述层叠体的多个膜，为绝缘性树脂膜、该绝缘性树脂膜的上层的所述遮光性金属膜和该遮光性金属膜的上层的感光性绝缘膜。

7.如权利要求1～6中任一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

构成所述源极电极和漏极电极的铝合金膜，具有350℃以上的耐热性。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述铝合金膜包含合金，该合金的主成分为铝、副成分为选自硅(Si)、钕(Nd)、铜(Cu)、镍(Ni)和镧(La)中的至少一种。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1～8中任一项所述的薄膜晶体管基板；与该薄膜晶体管基板相对配置的对置基板；和在该薄膜晶体管基板与该对置基板之间设置的显示介质层。

10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于：

所述显示介质层为液晶层。

11.一种薄膜晶体管基板的制造方法，该薄膜晶体管基板包括：基板；设置在该基板上的栅极电极；设置在该基板上、覆盖该栅极电极的栅极绝缘膜；设置在该栅极绝缘膜上，在与该栅极电极相对的位置形成有沟道部的氧化物半导体膜；设置在该氧化物半导体膜上，岛状地覆盖该沟道部的沟道保护层；设置在该氧化物半导体膜上，隔着该沟道部和沟道保护层互相分离地设置的源极电极和漏极电极；和设置在该源极电极和漏极电极的上层的层间绝缘膜，所述薄膜晶体管基板的制造方法的特征在于：

在基板上形成栅极电极，

在所述栅极电极上形成栅极绝缘膜，

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，

以覆盖所述氧化物半导体膜的沟道部的方式岛状地形成沟道保护层，

在所述氧化物半导体膜和所述沟道保护层上，由铝合金膜或包含铝合金膜的层叠膜形成源极电极和漏极电极，

在所述源极电极和漏极电极上形成层间绝缘膜，

然后，在200～350℃对所述层间绝缘膜进行退火。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

所述沟道保护层由具有遮光性的材料形成。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

使包含具有遮光性的感光性树脂膜的多个膜层叠而形成所述沟道保护层。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

作为所述沟道保护层层叠的多个膜，为绝缘性树脂膜、该绝缘性树脂膜的上层的氧化物半导体膜和该氧化物半导体膜的上层的所述遮光性感光性树脂膜。

15.如权利要求12所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

使包含具有遮光性的金属膜的多个膜层叠而形成所述沟道保护层。