[发明专利]涂覆技术改进

权利要求书

1.一种水性铂电镀浴，其包含：

a)铂离子源；和

b)多磷酸根阴离子源，

并且其中该电镀浴在使用中或备用时，其pH值在约2-约9的范围。

2.根据权利要求1的电镀浴，其中铂离子源是至少一种铂镀盐或络合物。

3.根据权利要求2的电镀浴，其中铂镀盐或络合物选自二硝二氨合铂（II)、正磷酸氢四氨合铂(II）、硝酸四氨合铂（II）、碳酸氢四氨合铂（II）、氢氧化四氨合铂（II）和硫酸四氨合铂（II）。

4.根据权利要求2的电镀浴，其中铂镀盐或络合物选自六羟基铂酸（IV）碱金属盐、四硝基铂酸(IV)碱金属盐、六氯铂酸（IV）氢碱金属盐、二硝基硫酸铂酸（IV）氢碱金属盐、四卤代铂酸（II）碱金属盐和卤化四氨合铂(II）。

5.根据前述权利要求中任一项的电镀浴，其中多磷酸根阴离子源是多磷酸的碱金属盐、碱土金属盐或铵盐，或者它们的混合物。

6.根据前述权利要求中任一项的电镀浴，其中多磷酸根阴离子源选自焦磷酸二氢二钠、焦磷酸二氢二钾、焦磷酸四钠、十水合焦磷酸四钠、焦磷酸四钾、三聚磷酸钾、六偏磷酸钠、六偏磷酸锂、六偏磷酸锂·6H₂O、六偏磷酸钾、焦磷酸钾、磷酸钠或它们的混合物。

7.根据权利要求1的电镀浴，其中多磷酸根阴离子源是多磷酸。

8.根据权利要求1的电镀浴，其中铂离子源和多磷酸根离子源是多磷酸铂盐或络合物。

9.根据权利要求8的电镀浴，其中多磷酸铂盐选自焦磷酸二氢四氨合铂（II）、焦磷酸二[四氨合铂（II）]、Na₂[Pt(NH₃)₄][H₂P₂O₇]或它们的混合物。

10.根据前述权利要求中任一项的电镀浴，其中铂离子浓度为约1-约30g／l。

11.根据前述权利要求中任一项的电镀浴，其中多磷酸根离子浓度为约0.1-约90g／l。

12.根据前述权利要求中任一项的电镀浴，还包含至少一种整平剂。

13.根据权利要求12的电镀浴，其中整平剂包含不饱和C-C键或不饱和C-杂原子键的至少一种。

14.根据权利要求12或13的电镀浴，其中整平剂选自如下至少一种：

a）取代的或未取代的糖精或它的盐；

b）取代的或未取代的苯并吡喃酮；

c）取代的或末取代的苯甲醛或它的衍生物；

d）取代的或未取代的除了乙烯之外的烯烃；

e)取代的或未取代的除了乙炔之外的炔烃；

f)取代的或未取代的烷基腈；

g)取代的或未取代的吡啶或它的加成盐；

h)取代的或未取代的三唑；和

i）取代的或未取代的吡啶盐。

15.根据权利要求12-14中任一项的电镀浴，其中整平剂是式(1)的化合物或它的盐：

其中m为0、1、2、3或4；

R₁均独立地为未取代的C₁-C₁₀烷基；

R₂选自H、未取代的C₁-C₁₀烷基、碱金属离子和碱土金属离子。

16.根据权利要求12-14中任一项的电镀浴，其中整平剂是式(2a)、(2b)或(2c)的化合物：

其中n为0、1、2、3或4；

p为0、1或2；

R₁₀和R₁₁均独立地选自未取代的C₁-C₁₀烷基。