[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201280004999.6 | 申请日: | 2012-01-25 |
公开(公告)号: | CN103314403A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 原义仁;中田幸伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02F1/1333;G02F1/1339;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
有源矩阵基板;
与所述有源矩阵基板相对配置的对置基板;和
介于所述有源矩阵基板与所述对置基板之间的框状的密封部件,
在所述密封部件的框内形成有显示区域,而在该显示区域的外侧周围形成有包含所述密封部件的形成区域的非显示区域,
在所述有源矩阵基板的所述显示区域设置有:包括感光性有机绝缘膜的层间绝缘膜;与该层间绝缘膜不同的绝缘膜;和形成在所述层间绝缘膜的表面并且配置为矩阵状的多个像素电极,
在所述有源矩阵基板的所述非显示区域形成有从所述显示区域引出的引出配线,
在所述密封部件的形成区域,所述层间绝缘膜被去除,并且以覆盖所述引出配线的一部分的方式设置有所述绝缘膜,在该绝缘膜的表面直接形成有所述密封部件。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
在所述有源矩阵基板的所述显示区域设置有分别与所述多个像素电极连接的多个薄膜晶体管,
所述薄膜晶体管具有氧化物半导体层。
3.如权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘膜为栅极绝缘膜。
4.如权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘膜具有栅极绝缘膜和层叠在该栅极绝缘膜的表面的保护膜,
所述密封部件直接形成在所述保护膜的表面。
5.如权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘膜为保护膜。
6.一种显示装置的制造方法,其特征在于:
其为通过将有源矩阵基板与对置基板隔着框状的密封部件贴合来制造显示装置的方法,
所述显示装置的制造方法具有:
使用第一掩模在基板上形成规定图案的第一导电膜的工序;
在所述基板上形成覆盖所述第一导电膜的第一绝缘膜的工序;
使用第二掩模在所述第一绝缘膜上形成规定图案的半导体层的工序;
使用第三掩模在所述第一绝缘膜上形成规定图案的第二导电膜的工序;
使用第四掩模,以覆盖形成有所述半导体层和所述第二导电膜的所述第一绝缘膜的一部分的方式,形成包括规定图案的感光性有机绝缘膜的层间绝缘膜的工序;
以所述层间绝缘膜为掩模对所述第一绝缘膜的一部分进行蚀刻的工序;和
使用第五掩模在所述层间绝缘膜上形成规定图案的透明电极的工序,
在形成所述第一导电膜的工序中,在形成所述密封部件的区域形成所述第一导电膜的一部分,
在形成所述半导体层的工序中,在形成所述密封部件的区域形成所述半导体层的一部分,
在形成所述层间绝缘膜的工序中,在形成所述密封部件的区域,从所述半导体层上去除所述层间绝缘膜,
在对所述第一绝缘膜的一部分进行蚀刻的工序中,以所述半导体层为掩模对形成所述密封部件的区域的所述第一绝缘膜进行蚀刻,
在形成所述透明电极的工序中,与所述透明电极的形成同时地通过蚀刻去除形成所述密封部件的区域的所述半导体层,
所述显示装置的制造方法具有在去除所述半导体层后的所述第一绝缘膜上设置所述密封部件的工序。
7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在设置所述密封部件的工序中,在所述第一绝缘膜的表面直接设置所述密封部件。
8.如权利要求6或7所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在形成所述透明电极的工序中形成作为所述透明电极的像素电极。
9.如权利要求6所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在形成所述透明电极的工序中形成作为所述透明电极的共用电极,
所述显示装置的制造方法具有:
使用第六掩模以覆盖所述共用电极的方式形成规定图案的第二绝缘膜的工序;和
使用第七掩模在所述第二绝缘膜的表面形成规定图案的像素电极的工序,
在形成所述第二绝缘膜的工序中,在形成所述密封部件的区域,在所述第一绝缘膜上形成所述第二绝缘膜的一部分,
在设置所述密封部件的工序中,在所述第二绝缘膜的表面直接设置所述密封部件。
10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第二绝缘膜为保护膜。
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