[发明专利]微波等离子体生成装置和采用该装置的磁控溅射成膜装置有效

专利信息
申请号: 201280004136.9 申请日: 2012-04-25
公开(公告)号: CN103262663A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 笹井建典;丰田浩孝 申请(专利权)人: 东海橡塑工业株式会社;国立大学法人名古屋大学
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C14/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 微波 等离子体 生成 装置 采用 磁控溅射
【权利要求书】:

1.一种微波等离子体生成装置,其用于在真空容器内生成微波等离子体,其特征在于,

包括:

矩形波导管,其用于传送微波;

缝隙天线,其配置在该矩形波导管的一个面,具有供该微波通过的缝隙;

电介质部,其以覆盖该缝隙天线的该缝隙的方式配置,等离子体生成区域侧的表面与从该缝隙入射的该微波的入射方向平行。

2.根据权利要求1所述的微波等离子体生成装置,其中,

在0.5Pa以上100Pa以下的压力条件下能够生成上述微波等离子体。

3.根据权利要求1或2所述的微波等离子体生成装置,其中,

还包括:

支承板,其配置在上述电介质部的背面,用于支承该电介质部;

永久磁铁,其配置在该支承板的背面,用于在上述等离子体生成区域中形成磁场;

利用从该电介质部向该磁场中传播的上述微波在产生电子回旋共振(ECR)的同时生成ECR等离子体。

4.根据权利要求3所述的微波等离子体生成装置,其中,

上述支承板具有用于抑制上述永久磁铁的温度上升的冷却部件。

5.根据权利要求3或4所述的微波等离子体生成装置,其中,

在0.05Pa以上100Pa以下的压力条件下能够生成上述ECR等离子体。

6.一种磁控溅射成膜装置,其包括基材、靶材、用于在该靶材的表面形成磁场的磁场形成部件,利用由磁控管放电生成的等离子体溅射该靶材,使飞出来的溅射粒子附着在该基材的表面而形成薄膜,其特征在于,

还包括权利要求1或权利要求2所述的微波等离子体生成装置;

该微波等离子体生成装置向该基材与该靶材之间照射微波等离子体。

7.根据权利要求6所述的磁控溅射成膜装置,其中,

在0.5Pa以上3Pa以下的压力条件下形成上述薄膜。

8.一种磁控溅射成膜装置,其包括基材、靶材、用于在该靶材的表面形成磁场的磁场形成部件,利用由磁控管放电生成的等离子体溅射该靶材,使飞出来的溅射粒子附着在该基材的表面而形成薄膜,其特征在于,

还包括权利要求3~权利要求5中任一项所述的微波等离子体生成装置;

该微波等离子体生成装置向该基材与该靶材之间照射ECR等离子体。

9.根据权利要求8所述的磁控溅射成膜装置,其中,

在0.05Pa以上3Pa以下的压力条件下形成上述薄膜。

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