[发明专利]有机EL面板及其制造方法

权利要求书

1.有机EL面板的制造方法，其包括如下工序：

准备薄膜晶体管面板的工序；

在所述薄膜晶体管面板的表面上形成像素电极的图案的工序；

检测所述薄膜晶体管面板的表面露出的所述像素电极的欠缺部的工序：

将激光照射到包含从所述像素电极的欠缺部露出的部分的所述薄膜晶体管面板表面的一部分，使所述薄膜晶体管面板表面的一部分粗糙化的工序；

在所述像素电极上和从所述像素电极的欠缺部露出的所述薄膜晶体管面板的表面上形成有机功能层的工序；以及

在所述有机功能层上形成对置电极的工序。

2.如权利要求1所述的有机EL面板的制造方法，其中，

所述激光的波长为400nm以下。

3.如权利要求1所述的有机EL面板的制造方法，其中，

还包括如下工序：

确定选择所述欠缺部的基准的工序；以及

从检测到的所述欠缺部选择适合于所述基准的欠缺部的工序，

所述激光被照射到从所述选择出的欠缺部露出的所述薄膜晶体管面板的表面。

4.有机EL面板，其包括薄膜晶体管面板和有机EL元件，该有机EL元件呈矩阵状配置在所述薄膜晶体管面板的表面上，并包括配置在所述薄膜晶体管面板的表面上的像素电极、以及配置在所述像素电极上的有机功能层和配置在所述有机功能层上的对置电极，

其中，至少1个所述有机EL元件的像素电极具有所述薄膜晶体管面板表面露出的欠缺部，

从所述欠缺部露出的所述薄膜晶体管面板的表面被粗糙化。

5.如权利要求4所述的有机EL面板，其中，

所述被粗糙化了的所述薄膜晶体管面板的表面的算术平均粗糙度在0.25μm以上。

6.如权利要求4所述的有机EL面板，其中，

所述薄膜晶体管面板包括基板、在所述基板上呈矩阵状配置的薄膜晶体管、以及以覆盖所述薄膜晶体管的方式配置在所述基板上的平坦化膜，

所述平坦化膜构成所述薄膜晶体管面板的表面。

7.如权利要求6所述的有机EL面板，其中，

所述平坦化膜由感光性树脂的固化物构成。