[发明专利]微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法

权利要求书

1.一种微细图案形成用积层体，用于在被处理体上介由第1掩模层形成微细图案，

其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构的模具和在加工所述第1掩模层时作为掩模起作用的第2掩模层，

所述凹凸结构的凸部顶部位置(S)与在所述凹凸结构的凹部内部形成的所述第2掩模层的界面位置(Scc)之间的距离(lcc)，以及凹凸结构的高度(h)满足下述式(1)，并且，所述凸部顶部位置(S)与在所述凸部上形成的所述第2掩模层的顶部位置(Scv)之间的距离(lcv)和所述高度(h)满足下述式(2)，

式(1)

0＜lcc＜1.0h

式(2)

0≤lcv≤0.05h。

2.根据权利要求1记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述距离(lcc)和所述高度(h)满足下述式(3)，

式(3)

0.02h≤lcc≤0.9h。

3.根据权利要求1或权利要求2记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述距离(lcv)和所述高度(h)满足下述式(4)，

式(4)

0≤lcv≤0.01h。

4.根据权利要求3记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述距离(lcv)满足下述式(5)，

式(5)

lcv＝0。

5.根据权利要求1到权利要求4的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，具有设置在所述凹凸结构表面上的由金属及/或金属氧化物构成的金属层。

6.根据权利要求5记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，具有设置于所述金属层表面上的脱模层，所述脱模层由从含有具有甲基的化合物的层、含有硅酮的层及含有氟的层构成的群组中选出的至少1层构成，且其厚度为30nm以下。

7.根据权利要求1到权利要求4的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，具有设置于所述凹凸结构表面上的脱模层，所述脱模层由从含有具有甲基的化合物的层、含有硅酮的层及含有氟的层构成的群组中选出的至少1层构成，且其厚度为30nm以下。

8.根据权利要求6或权利要求7记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述脱模层含有硅烷偶联材料及/或PDMS。

9.根据权利要求1到权利要求8的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述第1掩模层被配设成覆盖所述模具的凹凸结构，所述顶部位置(Scv)与所述第1掩模层的表面之间的距离(lor)和所述凹凸结构的节距(P)满足下述式(6)，

式(6)

0.05≤lor/P≤5。

10.根据权利要求1到权利要求9的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，进行干蚀刻的所述第2掩模层的蚀刻速率(Vm1)与所述第1掩模层的蚀刻速率(Vo1)的比率(Vo1/Vm1)满足下述式(7)，

式(7)

3≤Vo1/Vm1。

11.根据权利要求9或权利要求10记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，具有设置在所述第1掩模层的表面上的保护层。

12.根据权利要求9或权利要求10记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，在所述第1掩模层的表面上配置了所述被处理体。

13.根据权利要求1到权利要求12的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述被处理体为无机基材。

14.根据权利要求12或权利要求13记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，具有设置在所述被处理体和所述第1掩模层之间的硬掩模层。

15.根据权利要求12到权利要求14的任意一项中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，进行干蚀刻的所述被处理体的蚀刻速率(Vi2)与所述第1掩模层的蚀刻速率(Vo2)的比率(Vo2/Vi2)满足下述式(8)，

式(8)

Vo2/Vi2≤3。

16.根据权利要求15中记载的微细图案形成用积层体，其特征在于，所述比率(Vo2/Vi2)满足下述式(9)，

式(9)

Vo2/Vi2≤1。