[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。

2.根据权利要求1所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

在50℃～550℃的温度范围下，其平均线膨胀系数在3.23x10^-6～4.23x10^-6的范围内。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

作为所述碱土金属的氧化物，含有CaO、MgO及BaO中的全部。

4.根据权利要求1～3任一项所述的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：

还含有从由镍氧化物、铜氧化物、锰氧化物及锆氧化物构成的群中选择出的至少一种金属氧化物。

5.一种半导体装置的制造方法，依次包括：

准备具有pn结露出的pn结露出部的半导体元件的第1工程；以及形成覆盖所述pn结露出部的玻璃层的第2工程，

其特征在于，在所述第2工程中，是使用至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土金属的氧化物、且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn的半导体接合保护用玻璃复合物形成所述玻璃层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第1工程包括准备具有与主面平行的pn结的半导体基体的准备工程、以及通过从所述半导体基体一侧的表面形成深度超过所述pn结的沟道，在所述沟道的内部形成所述pn结露出部的工程；

所述第2工程包括形成覆盖位于所述沟道的内部的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括形成直接覆盖所述沟道的内部的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括在所述沟道的内部的所述pn结露出部上形成绝缘膜的工程，以及，形成通过所述绝缘膜覆盖所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，

所述第1工程包括在半导体基体的表面形成所述pn结露出部的工程，

所述第2工程包括形成覆盖位于所述半导体基体的表面的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括形成直接覆盖位于所述半导体基体的表面的所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工程包括在所述半导体基体的表面的所述pn结露出部上形成绝缘膜的工程，以及，形成通过所述绝缘膜覆盖所述pn结露出部的所述玻璃层的工程。

12.根据权利要求5～11任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述半导体基体接合保护用玻璃复合物，在50℃～550℃的温度范围下，其平均线膨胀系数在3.23×10^-6～4.23×10^-6的范围内。

13.根据权利要求5～12任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述半导体接合保护用玻璃复合物，作为所述碱土金属的氧化物，含有CaO、MgO及BaO中的全部。

14.根据权利要求5～13任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述半导体接合保护用玻璃复合物，还含有从由镍氧化物、铜氧化物、锰氧化物及锆氧化物构成的群中选择出的至少一种金属氧化物。