[发明专利]光学波长分光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光学波长分光装置，包含：

一第一基板；

一输入单元，系形成于该第一基板上，并具有一狭缝，以接收一光学讯号；

一光栅，系形成于该第一基板上，可根据该光学讯号产生输出之一第一光束；以及

一第二基板，系覆盖于该输入单元与该光栅上；

其中，该输入单元以及该光栅系利用一高能量光源对一光阻层进行曝光所形成，且该高能量光源的波长范围介于系0.01奈米至100奈米之间。

2.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中，该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。

3.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中，该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。

4.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中，该光栅具有凹面、凸面或平面的整体轮廓，且其光栅间距(Grating Pitch)表面形状呈现高低二阶式形态(Laminar Type)、锯齿形态(Sawtooth Type)、闪耀角形态(Blaze Type)、正弦曲线形态(Sinusoidal Type)或上述之形态组合。

5.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中，该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。

6.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，更包含一光学反射单元，系形成于该第一基板上，用以反射来自于该光栅的该第一光束。

7.如申请专利范围第6项所述之光学波长分光装置，其中，该光学反射单元利用该高能量光源对该光阻层进行曝光所形成。

8.一种光学波长分光装置之制造方法，该方法包含下列步骤：

(a)提供一第一基板；

(b)于该第一基板上形成一光阻层；

(c)利用一高能量光源透过一高能量光源光罩对该光阻层进行曝光，且该高能量光源之波长范围介于系0.01奈米至100奈米之间；

(d)对该光阻层显影，以形成一具有一狭缝之输入单元与一光栅；

(e)于该第一基板、该输入单元与该光栅表面镀上一反射层；以及

(f)将一第二基板覆盖于该输入单元与该光栅上。

9.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。

10.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。

11.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该光栅具有凹面、凸面或平面的整体轮廓，且其光栅间距(Grating Pitch)表面形状呈现高低二阶式形态(Laminar Type)、锯齿形态(Sawtooth Type)、闪耀角形态(Blaze Type)、正弦曲线形态(Sinusoidal Type)或上述之形态组合。

12.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。

13.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该光阻层的厚度介于10微米至1000微米之间。

14.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该高能量光源光罩包含一第三基板、一形成于该第三基板上之金属层、形成于该金属层上方之金属光罩图样层以及一形成于该第三基板底面之硅层。

15.如申请专利范围第14项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该高能量光源光罩之该第三基板材质为氮化硅(Si₃N₄)或碳化硅(SiC)，且该第三基板之厚度介于1微米至5微米之间。

16.如申请专利范围第14项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该金属层系为一厚度介于10奈米至200奈米之间的钛层，且该金属光罩图样层为一厚度介于1微米至10微米之间的金光罩图样层。