[发明专利]光学波长分光装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201280001298.7 | 申请日: | 2012-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN103782208A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
| 发明(设计)人: | 柯正浩 | 申请(专利权)人: | 柯正浩 |
| 主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 胡坚 |
| 地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 波长 分光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学波长分光装置,包含:
一第一基板;
一输入单元,系形成于该第一基板上,并具有一狭缝,以接收一光学讯号;
一光栅,系形成于该第一基板上,可根据该光学讯号产生输出之一第一光束;
一第一光学反射单元,系形成于该第一基板上,以反射输出来自于该光栅之该第一光束;以及
一第二基板,系覆盖于该输入单元与该光栅上;
其中,该输入单元、该光栅与该第一光学反射单元系利用一高能量光源对一光阻层进行曝光所形成,且该高能量光源的波长范围介于系0.01奈米至100奈米之间。
2.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置,其中,该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。
3.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置,其中,该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。
4.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置,其中,该光栅具有凹面、凸面或平面的整体轮廓,且其表面呈现连续薄片态样、锯齿态样、火焰态样、正弦曲线态样或上述的组合态样。
5.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置,其中,该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。
6.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置,更包含一第二光学反射单元,系形成于该第一基板上,用以反射来自于该第一光学反射单元的该第一光束。
7.如申请专利范围第6项所述之光学波长分光装置,其中,该第二光学反射单元利用该高能量光源对该光阻层进行曝光所形成。
8.一种光学波长分光装置,包含:
一第一基板;
一输入单元,系形成于该第一基板上,并具有一狭缝,以接收一光学讯号;
一第一光学反射单元,形成于该第一基板上,以反射来自于该输入单元之该光学讯号;
一光栅,系形成于该第一基板上,可根据来自于该第一光学反射单元之该光学讯号产生一第一光束;以及
一第二基板,系覆盖于该输入单元、该光栅与该第一光学反射单元上;
其中,该输入单元、该光栅与该第一光学反射单元系利用一高能量光源对一光阻层进行曝光所形成。
9.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置,更包含一第二光学反射单元,系形成于该第一基板上,用以反射来自于该第一光学反射单元的该第一光束。
10.如申请专利范围第9项所述之光学波长分光装置,其中,该第二光学反射单元利用该高能量光源对该光阻层进行曝光所形成。
11.一种光学波长分光装置之制造方法,该方法包含下列步骤:
(a)提供一第一基板;
(b)于该第一基板上形成一光阻层;
(c)利用一高能量光源透过一高能量光源光罩对该光阻层进行曝光,且该高能量光源之波长范围介于系0.01奈米至100奈米之间;
(d)对该光阻层显影,以形成一具有一狭缝之输入单元、一第一光学反射单元与一光栅;
(e)于该第一基板、该输入单元、该第一光学反射单元与该光栅表面镀上一反射层;以及
(f)将一第二基板覆盖于该第一基板上方。
12.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法,其中,该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。
13.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法,其中,该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。
14.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法,其中,该光栅具有凹面、凸面或平面的整体轮廓,且其表面呈现连续薄片态样、锯齿态样、火焰态样、正弦曲线态样或上述的组合态样。
15.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法,其中,该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。
16.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法,其中,该光阻层的厚度介于10微米至1000微米之间。
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