[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置

权利要求书

1.一种电阻变化型非易失性存储装置，

具备多个第一信号线、与上述多个第一信号线交叉的多个第二信号线、以及存储单元阵列，该存储单元阵列具有配置在上述多个第一信号线与上述多个第二信号线的交叉点上的多个存储单元；

上述多个存储单元分别包括：

电阻变化元件，在被施加预定的第一极性的第一电压时，变化为属于第一范围的电阻值的低电阻状态，并且，在被施加第二极性的第二电压时，变化为属于比上述第一范围高的第二范围的电阻值的高电阻状态，上述第二极性是与上述第一极性相反的极性；以及

双端子的电流控制元件，与上述电阻变化元件串联连接；

上述电阻变化型非易失性存储装置具备：

写入电路，进行低电阻化写入和高电阻化写入，上述低电阻化写入是指，对上述存储单元，经由对应的上述第一信号线及上述第二信号线施加绝对值为上述第一电压以上的上述第一极性的低电阻化电压，由此使上述电阻变化元件变化为上述低电阻状态，上述高电阻化写入是指，对上述存储单元，经由对应的上述第一信号线及上述第二信号线施加绝对值为上述第二电压以上的上述第二极性的高电阻化电压，由此使上述电阻变化元件变化为上述高电阻状态；

第一选择电路，选择上述多个第一信号线中的某一个；以及

第二选择电路，选择上述多个第二信号线中的某一个；

上述多个存储单元分割为多个块；

上述多个块分别包含多个存储单元；

上述写入电路还进行如下处理：

对上述电阻变化型非易失性存储装置被制造后的初始状态的上述电阻变化元件，经由对应的上述第一信号线及上述第二信号线施加绝对值比上述低电阻化电压及上述高电阻化电压的绝对值大的初始击穿电压，由此进行使上述电阻变化元件转移到电阻能够通过上述低电阻化写入及上述高电阻化写入而变化的状态的初始击穿；

在上述初始击穿中，经由上述第一选择电路及上述第二选择电路，对由上述第一选择电路选择的第一信号线及由上述第二选择电路选择的第二信号线施加上述初始击穿电压；

在上述多个块之中，按以下顺序依次选择块，并对所选择的块中包含的多个存储单元进行上述初始击穿，该顺序为：从配置在与上述第一选择电路及上述第二选择电路中的至少一方电路最远的位置上的块向配置在与上述某一方电路最近的位置上的块的顺序。

2.根据权利要求1所述的电阻变化型非易失性存储装置，

上述写入电路在所选择的各块中包含的多个存储单元之中，按以下顺序依次选择存储单元，并对所选择的存储单元进行上述初始击穿，该顺序为：从配置在与上述第一选择电路及上述第二选择电路中的至少一方电路最远的位置上的存储单元向配置在与上述某一方电路最近的位置上的存储单元的顺序。

3.根据权利要求1所述的电阻变化型非易失性存储装置，

上述写入电路按以下顺序，以锯齿状依次选择块，并对所选择的块中包含的多个存储单元进行上述初始击穿，该顺序为：从配置在与上述第一选择电路最远的位置、且配置在与上述第二选择电路最远的位置上的块向配置在与上述第一选择电路最近的位置、且配置在与上述第二选择电路最近的位置上的块的顺序。

4.根据权利要求1所述的电阻变化型非易失性存储装置，

上述多个块以矩阵状配置；

上述写入电路进行如下处理：

在作为块单位的行及列中的一方、且沿着上述第一信号线的方向的多个线之中，按以下顺序依次选择线，该顺序为：从配置在与上述第二选择电路最远的位置上的线向配置在与上述第二选择电路最近的位置上的线的顺序；

在配置在所选择的线上的多个块之中，按以下顺序依次选择块，该顺序为：从配置在与上述第一选择电路最远的位置上的块向配置在与上述第一选择电路最近的位置上的块的顺序。

5.根据权利要求1所述的电阻变化型非易失性存储装置，

上述电阻变化型非易失性存储装置还包括多个块间开关，该多个块间开关分别设置在上述第一信号线的上述块之间；

上述写入电路在进行所选择的第一块中包含的多个存储单元的上述初始击穿之后，将设置在该第一块与第二块之间的上述块间开关断开，然后对上述第二块进行上述初始击穿，上述第二块是相对于该第一块邻接于上述一方电路侧的块。