[实用新型]半导体基片处理系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体基片处理技术领域，尤其涉及一种提高半导体基片处理效率的技术领域。

背景技术

在半导体芯片的制作过程中，通常会采用两类半导体芯片处理系统。第一类系统通常被称为批处理(batch processing)系统。使用批处理系统的主要原因在多个芯片或基片能够被同时加工处理，因而该系统可以提供高的输出产能。但是，随着半导体器件性能规范要求的日益严格，工业界已经转而使用第二类处理室，即，单基片处理室。开发单基片处理系统的主要原因在于它更便于控制基片的工艺特性和基片表面的工艺均一性。单基片处理室通常包括真空反应腔、传送室和基片存放室等结构，现有技术中，为了提高单基片处理室的空间利用率，通常在传送室周围环绕设置两个或两个以上的单基片处理室。

基片的处理过程通常包括对基片进行等离子体刻蚀和将刻蚀完成的基片进行光刻胶去除，业内也被之为：光刻胶灰化。由于等离子体刻蚀反应和光刻胶灰化反应对反应腔的要求不同，不能在同一反应腔内完成，目前通常的做法是将完成等离子体刻蚀的基片放置在所述基片存放室内，当基片存放室内的基片数量达到一定值时统一传送到光刻胶去除反应机台处进行光刻胶灰化。采用该方法在对基片进行转移时，基片有机会暴露在空气中，有可能造成基片的污染，同时，基片传输不能实时进行，增加了基片的处理的等待时间，降低了生产效率，因此，业内需要一种新型的半导体基片处理系统。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种半导体基片处理系统，所述处理系统包括传送室和处理腔室，传送室设有传送装置，处理腔室设有装卸口，所述处理腔室包括：

至少一个等离子体反应腔室，用于对基片进行等离子体刻蚀；

光刻胶去除反应腔室，用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除，

所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕所述传送室设置，所述传送装置可以通过所述装卸口对所述基片进行取放。

优选的，所述的处理腔室包括两个等离子体反应腔室和一个光刻胶去除反应腔室，所述光刻胶去除反应腔室位于两等离子体反应腔室之间。

优选的，所述每个等离子体反应腔室包括至少两个刻蚀处理平台，所述两个刻蚀处理平台能够单独地或同时地刻蚀两片或更多片基片。

优选的，所述所述光刻胶去除反应腔室包括两个基片处理室，每个基片处理室设置一氧原子发生器，所述的氧原子发生器为位于光刻胶去除反应腔室外部的集成装置。

进一步的，所述所述光刻胶去除反应腔室包括两个基片处理室，所述光刻胶去除反应腔室能够单独地或者同时地对两片或更多片基片进行光刻胶去除。

进一步的，所述处理系统还包括一基片存放室，所述基片存放室设有多个工艺件架，所述传送装置可以同时指向基片存放室的不同工艺件架的位置，以完成工艺处理件的取放。

进一步的，所述等离子体反应腔室为电容耦合式等离子体刻蚀室或电感耦合式等离子体刻蚀室，所述光刻胶去除反应腔室为电容耦合式等离子体刻蚀室或电感耦合式等离子体刻蚀室。

所述光刻胶去除反应腔室中处理结束的基片通过所述传送装置转移到所述基片存放室中，移出半导体基片处理系统。

本实用新型所述技术方案的优点在于：本实用新型包括至少一个等离子体反应腔室用于对基片进行等离子体刻蚀，以及光刻胶去除反应腔室，用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除，将所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕同一传送室设置，可以保证等离子体反应腔室中完成刻蚀的基片能在第一时间进行光刻胶灰化处理，省去排队等候和空间转移的时间，同时由于等离子体反应腔室和光刻胶去除反应腔室在同一真空环境下，避免了基片可能产生污染的问题，提高了生产效率。

附图说明

图1示出本实用新型所述的半导体基片处理系统结构示意图；

图2示出本实用新型所述的光刻胶去除反应腔室结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。