[实用新型]一种MOS管驱动电路有效
| 申请号: | 201220749317.1 | 申请日: | 2012-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN203352551U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
| 发明(设计)人: | 罗中良;王戎伟 | 申请(专利权)人: | 惠州市经典照明电器有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/04 | 分类号: | H03K17/04 |
| 代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
| 地址: | 516001 广东省惠州市惠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mos 驱动 电路 | ||
1.一种MOS管驱动电路,包括灌流电路,其特征在于:
还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管;
所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端;
所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端;
所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。
2.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:
还包括第二电阻;
所述第二电阻的一端连接所述MOS管的栅极,另一端连接所述MOS管的源极。
3.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:
所述充电限流电阻的电阻值为22~100欧姆。
4.根据权利要求3所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:
所述第一电阻记为R2,其电阻值的计算公式为:R2=0.1×R1,R1为所述充电限流电阻的电阻值。
5.根据权利要求2所述的一种MOS管驱动电路,其特征在于:
所述第二电阻记为R3,其电阻值的计算公式为:R3=500×R1,R1为所述充电限流电阻的电阻值。
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