[实用新型]等离子体刻蚀处理装置有效
| 申请号： | 201220747252.7 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203013674U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张冬平;杨佐东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 处理 装置 | ||
1.一种等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，包括：等离子体工艺腔室、聚焦环及聚焦环冷却系统；
其中，所述聚焦环及聚焦环冷却系统均设置于所述等离子体工艺腔室中；
所述聚焦环冷却系统能够控制所述聚焦环的温度。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，所述聚焦环具有一环形凹槽，所述聚焦环冷却系统设置于所述环形凹槽内。
3.如权利要求1所述的等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，所述聚焦环包括顺次连接的第一圆环、第二圆环和第三圆环组成，其中，所述第二圆环的厚度比第一圆环和第三圆环都厚。
4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，所述聚焦环冷却系统输送冷却剂到聚焦环，所述冷却剂为气体。
5.如权利要求4所述的等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，所述聚焦环冷却系统中使用的冷却剂是氦气。
6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，还包括晶圆冷却系统，所述晶圆冷却系统设置于所述等离子体工艺腔室中，所述聚焦环冷却系统与晶圆冷却系统各有独立的冷却剂供应源，或者合用同一个冷却剂供应源。
7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，所述聚焦环冷却系统包括两路管路，一路管路连接聚焦环，另一路管路连接流量计。
8.如权利要求1所述的等离子体刻蚀处理装置，其特征在于，还包括一顶环，所述顶环压在所述聚焦环上。
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