[实用新型]半导体芯片散热基板及半导体芯片封装结构

权利要求书

1.一种半导体芯片散热基板，其特征在于，供半导体芯片直接配置，使半导体芯片的热源能够通过该散热基板外扩传导，该半导体芯片散热基板为层叠式结构，其包括第一金属层、高分子散热绝缘层以及第二金属层，该高分子散热绝缘层的热传导系数大于或等于7W/mK。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片散热基板，其特征在于，该半导体芯片为LED芯片。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片散热基板，其特征在于，该第一金属层和高分子散热绝缘层中设有开口，该第二金属层于该开口处对应设有一凹部，该半导体芯片设于该凹部表面。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片散热基板，其特征在于，该半导体芯片设于该第一金属层表面。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片散热基板，其特征在于，该半导体芯片散热基板还包含一导热柱，该导热柱设置于该半导体芯片下方，贯穿该高分子散热绝缘层，并连接该半导体芯片及第二金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片散热基板，其特征在于，该第一金属层包含电气连接该半导体芯片的正、负电极。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片散热基板，其特征在于，该高分子散热绝缘层的热传导系数介于8~12W/mK。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片散热基板，其特征在于，该高分子散热绝缘层的厚度小于或等于150μm。

9.一种半导体芯片封装结构，其特征在于，包括：

一散热基板，其为层叠式结构，包括第一金属层、高分子散热绝缘层以及第二金属层，该高分子散热绝缘层的热传导系数大于或等于7W/mK；以及

一半导体芯片，配置于该散热基板上，使半导体芯片的热源能够通过该散热基板外扩传导。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该半导体芯片为LED芯片。

11.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该第一金属层和高分子散热绝缘层中设有开口，该第二金属层于该开口处对应设有一凹部，该半导体芯片设于该凹部表面。

12.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该半导体芯片设于该第一金属层表面。

13.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该散热基板还包含一导热柱，该导热柱设置于该半导体芯片下方，贯穿该高分子散热绝缘层，并连接该半导体芯片及第二金属层。

14.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该高分子散热绝缘层的热传导系数介于8~12W/mK。

15.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该高分子散热绝缘层的厚度小于或等于150μm。

16.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该第一金属层包含电气连接该半导体芯片的正、负电极。

17.根据权利要求9所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，该半导体芯片包含以打线或覆晶方式安装于该半导体芯片散热基板的结构。