[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201220746029.0 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN202977518U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;梁润园;韦嘉;袁长安 | 申请（专利权）人： | 北京半导体照明科技促进中心 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 100080 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
1.一种LED芯片，包括：
台阶状的堆叠，包括位于最底部的基底、相邻地位于所述基底之上的N型材料层、相邻地位于所述N型材料层之上的发光层，以及相邻地位于所述发光层之上的P型材料层，其中所述P型材料层位于所述堆叠的第一台阶面上，所述N型材料层的外侧部分位于所述堆叠的第二台阶面上，所述第一台阶面高于所述第二台阶面；
位于所述堆叠之上的钝化层；
形成于所述钝化层中的处于相应于所述第一台阶面的区域内的P型电极；以及
形成于所述钝化层中的处于相应于所述第二台阶面的区域内的N型电极，
其特征在于，所述P型电极的面积与所述N型电极的面积之比或所述N型电极的面积与所述P型电极的面积之比处于0.7-1.2的范围内。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型电极与所述N型电极之间的所述钝化层的面积与整个电极面的面积之比处于1/3-1/2的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，还包括分别设置在所述P型电极和所述N型电极上的P型电极凸点和N型电极凸点，所述P型电极凸点和N型电极凸点之间在水平方向上的距离至少为100μm，并且所述P型电极凸点和N型电极凸点的顶端位于同一水平面上。
4.根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述P型电极的面积与所述N型电极的面积之比为1。
5.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述P型电极凸点与所述N型电极凸点在水平方向上的截面积之比或所述N型电极凸点与所述P型电极凸点在水平方向上的截面积之比处于1/4-2/3的范围内。
6.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，各所述凸点的高度至少为0.5μm。
7.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述P型电极凸点的高度处于8-10μm的范围内。
8.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述N型电极凸点的高度处于18-23μm的范围内。
9.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述芯片的高度小于200μm。
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