[实用新型]一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置有效
| 申请号： | 201220744936.1 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203133743U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘升;陆音 | 申请（专利权）人： | 西安奇维科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/32 | 分类号： | G06F1/32 |
| 代理公司： | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人： | 潘宪曾 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外部 mosfet 嵌入式 系统 节能 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置，包括处理器，与处理器连接的降压转换器，以及用于调节降压转换器的输出电压的外部第一电阻R1 和第二电阻R2，其特征在于 ：所述处理器连接MOSFET管栅极，控制MOSFET管的开关，在外部N 沟道 MOSFET 设置与 R2 并连的第三电阻R3。
2.根据权利要求1所述基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置，其特征在于 ：所述处理器连接一个额外电阻，控制电压 Vc向反馈网络注入电流，调整控制电压的占空比可以改变平均直流电平。
3.根据权利要求1所述基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置，其特征在于 ：所述处理器连接有获得更好的瞬态性能和负载调整率的前馈电容 Cf。
4.根据权利要求1～3任一所述基于外部MOSFET管的嵌入式系统节能装置，其特征在于 ：所述基于外部MOSFET管调节的DC/DC电源芯片包括LM2574M，LM2883XMY及LTC3839。
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