[实用新型]一种移相衰减组件有效
| 申请号: | 201220742319.8 | 申请日: | 2012-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN203013884U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
| 发明(设计)人: | 查杰 | 申请(专利权)人: | 成都亚光电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18;H01P1/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 610051 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 衰减 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及微波技术领域,更具体的说是涉及一种移相衰减组件。
背景技术
移相衰减组件是天线波束形成网络的重要组成部分,其功能是对天线的信号进行移相衰减处理,并实现信道的相位、幅度一致性校准。
移相衰减组件内部电路包括射频电路、控制电路以及与射频电路相应部分连接的射频输入端和射频输出端。其中,射频电路由色散移相器、非色散移相器、衰减器以及隔离器组成,控制电路与射频电路连接,用以控制射频电路中各器件的工作状态。
在现有技术中,对于上述移相衰减组件的内部电路结构,传统的组装方法是将色散移相器,非色散移相器,衰减器,隔离器等各功能单元独立设计、组装成器件;传统的装配与连接方法是通过微组装工艺将各独立器件装配到同一通道中,通过电焊的方式将各器件输入、输出端口与通道对应焊盘焊接连接,使用高温线将射频电路所在的射频面与控制电路所在的控制面对应焊盘焊接连接,最终完成整个移相衰减组件的设计和组装。
然而,现有技术的移相衰减组件中,射频面与控制面之间采用焊接穿墙式高温线连接,强振动或冲击条件下,高温线绝缘层容易与腔体通孔棱角处产生摩擦,磨损严重时将导致产品电气受损失效,且当采用绝缘子连接射频面与控制面时,先弯折绝缘子引线实现引线与电路微带线的紧贴,再采用电焊连接,弯折引线受损且焊点易失效。
因此,现有的移相衰减组件,由于内部电路中的连接部分易受损,给整个移相衰减组件的电性能和质量带来不良影响,导致整个移相衰减组件的可靠性低,不满足高可靠性产品的要求。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种移相衰减组件,内部电路通过采用新型的连接方式连接,避免了由于连接方式不当,导致整个移相衰减组件的可靠性低,不满足高可靠性产品的要求的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种移相衰减组件,包括:设置有射频面、控制面以及多个第一腔体通孔的电路板、设置于所述射频面上的射频电路和设置于所述控制面上的控制电路,其中:
所述电路板上的多个第一腔体通孔都烧结有第一绝缘子;
每个所述第一绝缘子的引线一端通过绕焊连接第一漆包线的一端,所述第一漆包线的另一端焊接于所述射频面上对应所述第一绝缘子的焊点处;
每个所述第一绝缘子的引线另一端通过绕焊连接第二漆包线的一端,所述第二漆包线的另一端焊接于所述控制面上对应所述第一绝缘子的焊点处。
优选地,包括:分别设置有第二腔体通孔的射频输入电路板和射频输出电路板、设置于所述输入电路板上的射频输入端,以及设置于所述输出电路板上的射频输出端,其中:
所述射频输入电路板的第二腔体通孔烧结有第二绝缘子,所述第二绝缘子的引线一端连接所述射频输入端,另一端通过金带键合连接于所述射频面上的对应所述第二绝缘子的微带线处;
所述射频输出电路板的第二腔体通孔烧结有第三绝缘子,所述第三绝缘子的引线一端连接所述射频输出端,另一端通过金带键合连接于所述射频面上的对应所述第三绝缘子的微带线处。
优选地,所述射频电路包括:第一隔离器、第一移相器、第一衰减器、第二衰减器、第二移相器和第二隔离器,其中:
所述第一隔离器的输入端的电路微带线与所述第二绝缘子引线的另一端通过金带键合连接;
所述第一隔离器的输出端的电路微带线与所述第一移相器的输入端的电路微带线通过金带键合连接;
所述第一移相器的输出端的电路微带线与所述第一衰减器的输入端的电路微带通过金带键合连接;
所述第一衰减器的输出端的电路微带线与所述第二衰减器的输入端的电路微带线通过金带键合连接;
所述第二衰减器的输出端的电路微带线与所述第二移相器的输入端的电路微带线通过金带键合连接;
所述第二移相器的输出端的电路微带线与所述第二隔离器的输入端的电路微带线通过金带键合连接;
所述第二隔离器的输出端的电路微带线与所述第三绝缘子引线的另一端通过金带键合连接。
优选地,所述第一绝缘子包括:
外径为3毫米、厚度为2毫米以及内径为0.5毫米的玻璃绝缘子。
优选地,所述第二绝缘子包括:
外径为3毫米、厚度为4毫米以及内径为0.5毫米的玻璃绝缘子。
优选地,所述第三绝缘子包括:
外径为3毫米、厚度为4毫米以及内径为0.5毫米的玻璃绝缘子。
优选地,所述第一移相器的结构包括:具有8位非色散移相器的结构。
优选地,所述第一衰减器的结构包括:
具有6位无相移衰减器的结构。
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