[实用新型]具有终端保护结构的半导体功率器件

权利要求书

1.一种具有终端保护结构的半导体功率器件，包括有源区以及环绕该有源区设置的终端保护区，该终端保护区具有划片边缘，该有源区包括第一类导电类型的衬底层、形成于该衬底层上的第一类导电类型的外延层以及形成于该外延层上的第二类导电类型的阱层，该外延层上方覆盖有氧化层和金属层，该氧化层和金属层延伸到该终端保护区内，其特征在于，

所述终端保护区包括一个填充满绝缘材料的沟槽，该沟槽在垂直方向上紧邻该氧化层，并延伸入该外延层内，其中，该沟槽在宽度方向上包括一个与该划片边缘相重叠的第一边缘以及与该第一边缘相对的第二边缘。

2.根据权利要求1所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽的所述第二边缘未与该有源区相接触。

3.根据权利要求1所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽的所述第二边缘紧贴该有源区。

4.根据权利要求1所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽延伸入所述外延层的深度为所述外延层的整个深度的10％到130％之间。

5.根据权利要求4所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽穿过所述外延层并延伸入所述衬底层内。

6.根据权利要求1所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽的宽度为10微米到70微米之间。

7.根据权利要求1所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述绝缘材料为二氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求1所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件为垂直结构的功率管。

9.根据权利要求8所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件为场效应管。

10.根据权利要求8所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件为绝缘栅双极晶体管。

11.根据权利要求8所述的具有终端保护结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件为功率二极管。