[实用新型]计算机系统和用于电子电路中的功率输送的装置有效

专利信息
申请号: 201220741255.X 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN203276856U 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: M·H·陶菲克;D·J·卡明斯;H·T·恩戈;S·甘古利 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张伟;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 计算机系统 用于 电子电路 中的 功率 输送 装置
【权利要求书】:

1.一种用于电子电路中的功率输送的装置,其特征是,包括: 

第一电压供应轨; 

第二电压供应轨;以及 

第一位线,其耦合到所述第一电压供应轨和所述第二电压供应轨, 

其中所述第一电压供应轨被配置成提供第一电压量来执行第一位线的预充电的第一阶段,并且所述第二电压供应轨被配置成提供第二电压量来执行所述第一位线的所述预充电的第二阶段。 

2.如权利要求1所述的装置,其中所述第一电压供应轨具有比所述第二电压供应轨低的电压。 

3.如权利要求1所述的装置,其中所述第一位线包括在静态随机存取存储器(SRAM)单元中。 

4.如权利要求1所述的装置,其中所述第一电压供应轨被配置成向片上系统(SOC)的部件提供电压。 

5.如前述权利要求中的任一项所述的装置,还包括第二位线,其中所述第一电压供应轨和所述第二电压供应轨被耦合以对所述第二位线预充电。 

6.如权利要求5所述的装置,还包括交叉耦合在所述第一位线与所述第二位线之间的第一晶体管和第二晶体管。 

7.如权利要求6所述的装置,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管包括N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。 

8.如权利要求1所述的装置,其中所述预充电发生在对耦合到所述第 一位线的存储器单元的读或写操作之后。 

9.一种用于电子电路中的功率输送的装置,其特征是,包括: 

布置成多个行和多个列的静态随机存取存储器(SRAM)单元的存储器阵列; 

与所述静态随机存取存储器单元的所述多个列相关联的多条位线;以及 

预充电电路,其被配置成在对所述存储器阵列的存取操作之后对所述多条位线中的至少一条位线预充电,其中所述预充电电路包括: 

第一电压供应轨和第二电压供应轨,其中所述第一电压供应轨被配置成通过将第一电压量供应给所述多条位线中的所述至少一条位线来开始所述至少一条位线的预充电,而所述第二电压供应轨被配置成通过将第二电压量供应给所述至少一条位线来完成所述至少一条位线的所述预充电。 

10.如权利要求9所述的装置,其中所述存储器阵列是片上系统(SOC)的一部分。 

11.如权利要求9-10中的任一项所述的装置,还包括交叉耦合在所述至少一条位线与第二位线之间的第一晶体管和第二晶体管。 

12.如权利要求11所述的装置,其中在所述位线的所述预充电的第一阶段期间,所述第一晶体管被使能而所述第二晶体管被禁止,其中在所述第一阶段中,所述第一电压量被供应。 

13.一种计算机系统,其特征是,包括: 

主存储器,其上存储有计算机可执行指令; 

处理器,其耦合到所述主存储器并且被配置成执行所存储的计算机可执行指令以使得生成至少一个输入信号; 

至少一个高速缓冲存储器,其耦合到所述处理器,所述高速缓冲存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)单元的存储器阵列,其中每个所述 静态随机存取存储器单元耦合到相应的预充电电路, 

其中所述相应的预充电电路包括: 

第一电压供应轨和第二电压供应轨; 

其中响应于所述至少一个输入信号,所述第一电压供应轨被配置成通过将第一电压量供应给静态随机存取存储器单元中的位线来开始所述位线的预充电,而所述第二电压供应轨被配置成通过将剩余的第二电压量供应给所述位线来继续所述预充电。 

14.如权利要求13所述的计算机系统,其中所述第一电压供应轨具有比所述第二电压供应轨低的电压。 

15.如权利要求13所述的计算机系统,其中所述位线耦合到所述静态随机存取存储器单元的选定列,并且所述位线被配置成在存取操作之后被预充电,其中所述存取操作包括读操作或写操作。 

16.如权利要求13所述的计算机系统,其中所述第二电压供应轨被配置成在请求对所述存储器阵列的下一存取之后完成所述预充电。 

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