[实用新型]多膜层复合包裹薄膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种微电子领域中使用的包裹材料，特别是涉及一种多膜层复合包裹薄膜。

背景技术

众所周知，微电子技术之所以能日新月异般飞速发展与其使用各种类型新技术材料密不可分。其性能优良、技术先进、参数稳定的新技术材料则成为微电子技术高速发展关键。近年来在高技术武器引信引爆系统应用半导体桥(SCB) 点火技术设置的各种快速点火起爆装置，而迅速成为世界各国高技术武器的引信与点火系统争相应用的新技术途径。西方军事专家已有应用半导体桥(SCB)点火器制造了不同用途、不同需求的快速点火装置的相关报道。半导体桥(SCB) 点火技术关键特点是只要对其 点火装置施加一个电脉冲，就可瞬间产生高温、巨热、剧烈冲击的等离子体，瞬间足以点燃或引爆各种不同类型含能材料。因此，半导体桥(SCB)快速点火技术已成为各种快速点火起爆领域具有广泛应用前途的一门崭新技术。

再由于半导体桥(SCB)具有体积小、结构简单、重量轻、起爆能量低、作用时间短。以及对静电放电、漏电窜扰、电磁辐射、电离辐射强有力抵御能力等优特点，所以半导体桥(SCB)点火技术很快就在高技术武器中得到了重要应用。

随现代社会的快速发展以及现有工业电雷管应用环境的静电感应、电磁辐射、电离辐射、电磁波和杂散电流等因素加剧，加之民用工业电雷管的点火药、起爆药是用极为敏感的化学试剂固有缺陷，使得工业电雷管在生产、运输、储存、使用过程中经常容易发生意外爆炸事故，安全问题尤为突出，它已不能满足不同环境使用要求。为此，国内外同行专家相继进行了不懈努力寻求新的解决问题的技术途径，以期解决根本问题。

使用多膜层复合包裹材料，可以制造出各种结构、不同需求的半导体桥(SCB)快速点火装置。但是用于制作半导体桥(SCB)快速点火器的掺杂多晶硅薄膜材料，不仅需要超净环境和各种昂贵专用设备，而且必须具有不同专业知识丰富的技术人员对各复合膜层各界面的物理化学效应准确掌控。由于制作工艺技术难度大，时至今日还没有建立一个可用的技术规范，致使该技术广泛应用受到很大限制。目前，只是在一些高技术武器上有半导体桥(SCB)点火器技术应用的零星报道。而用于制造半导体桥(SCB)点火器所必须使用的掺杂多晶硅薄膜材料的制备技术，还未见有相关技术资料报道。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术的问题，提供一种多膜层复合包裹薄膜，该薄膜不但技术先进、性能稳定，同时还具有防止高浓度掺杂原子下沉效应发生和阻断外逸效应的双重功能。   

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种多膜层复合包裹薄膜，为多层结构，包括单晶硅材料衬底层、二氧化硅薄膜介质层、掺杂多晶硅薄膜层和氮化硅薄膜介质层，其中单晶硅材料衬底层表面包裹二氧化硅薄膜介质层，二氧化硅薄膜介质层表面包裹掺杂多晶硅薄膜层，掺杂多晶硅薄膜层表面上包裹氮化硅薄膜介质层。

在上述技术方案中，所述单晶硅材料衬底层、二氧化硅薄膜介质层、掺杂多晶硅薄膜层和氮化硅薄膜介质层紧密包裹形成一个紧密整体。 

从上述本实用新型的各项技术特征可以看出，其优点是：它消除了单晶硅衬底材料与掺杂多晶硅薄膜材料界面的浓度梯度差，致使多晶硅薄膜中掺杂原子往单晶硅衬底材料中扩散的固有的下沉效应；它能有效屏蔽掺杂多晶硅薄膜材料表面与外界化学气氛、微粒金属杂质接触而与掺杂多晶硅薄膜材料表面缺键态生成新的共价键，致使掺杂多晶硅薄膜材料表面杂质浓度减少而发生的原子外逸效应；本实用新型特点突出，结构简洁，可以实现自动化大规模生产，产品具有一致性好、可靠性高，价格低廉、市场应用广泛等优点。

附图说明

本实用新型将通过附图比较以及结合实例的方式说明：

图1是本实用新型结构示意图；

其中附图标记：1是氮化硅薄膜介质层     2是掺杂多晶硅薄膜层

     3是二氧化硅薄膜介质层        4是单晶硅材料衬底层。

具体实施方式

    下面结合附图通过实施例对本实用新型做进一步的说明。