[实用新型]阵列基板、液晶面板及显示设备有效

专利信息
申请号: 201220729365.4 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN202975550U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 王明超;林鸿涛;王俊伟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L23/544
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶面板 显示 设备
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其是指一种阵列基板、液晶面板及显示设备。 

背景技术

随着TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)面板生产线的高世代化及面板的大尺寸化,各种不良发生的比例也有所加重,在面板修复和面板的不良分析中,像素的精确定位已成为一个显著的问题,特别是在使用扫描电镜、3D显微镜,原子力显微镜、红外光谱仪等进行分析时,在制样过程中均需要将面板进行切割,而如何保证在切割前后不良区的精确定位已经成为了一个重要的问题。 

传统的面板定位方式主要采用相对坐标的方法,也即:将面板置于基台上,通过坐标的变化记录不良区域的坐标,再进行修复和分析,但是该方法存在明显的不足,首先采用相对坐标时,离开仪器的基台之后,容易产生定位的紊乱,其次大尺寸基板在某些小基台的分析仪器上(SEM/3D OM),无法实现相对的坐标定位,再次通过相对坐标在基板不良区附近标记激光Mark时,是否会对不良区的不良现象产生影响,仍需质疑。 

实用新型内容

本实用新型技术方案的目的是提供一种阵列基板、液晶面板及显示设备,用于解决现有技术面板修复和分析过程中难以对像素精确定位的问题。 

本实用新型提供一种阵列基板,包括多个像素电极,其中,所述阵列基板上设置有用于对特定像素电极进行坐标标记的行列标记。 

优选地,上述所述的阵列基板,所述行列标记包括行号标记和列号标记,其中所述行号标记表示所述特定像素电极所对应栅线的行号,所述列号标记用 于表示所述特定像素电极所对应数据线的列号。 

优选地,上述所述的阵列基板,所述行列标记设置于所标记所述特定像素电极的周边。 

优选地,上述所述的阵列基板,所述行列标记是利用所述阵列基板的栅线金属层制成。 

优选地,上述所述的阵列基板,所述行列标记位于所述特定像素电极所对应的数据线位置上。 

优选地,上述所述的阵列基板,所述行列标记是利用所述阵列基板的钝化层或数据线金属层制成。 

优选地,上述所述的阵列基板,所述行列标记位于所述特定像素电极所对应的栅线位置上。 

优选地,上述所述的阵列基板,所述行列标记为两个,其中第一行列标记是利用所述阵列基板的栅线金属层制成,第二行列标记是利用所述阵列基板的钝化层或数据线金属层制成。 

本实用新型还提供一种包括上述阵列基板的液晶面板。 

本实用新型另一方面还提供一种包括上述阵列基板的显示设备。 

本实用新型具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果: 

本实用新型通过在阵列基板的亚像素周边标记该亚像素的行号和列号,实现了像素的绝对坐标标记,无论是在哪种仪器的基台,也无论基板的切割与否都能够快速准确的找到不良区,从而进行地址定位,能有效提高修复和分析的效率及准确性。 

附图说明

图1为用于表示本实用新型第一实施例所述阵列基板上行列标记的俯视图; 

图2为用于表示第一实施例中所述阵列基板上的第一行列标记在A-A'方向上的剖面图; 

图3为用于表示第一实施例中所述阵列基板上的第二行列标记在B-B'方向上的剖面图; 

图4为用于表示第一实施例中所述第一行列标记第一步骤制备的俯视图; 

图5为用于表示第一实施例中所述第一行列标记第一步骤制备在B-B'方向的剖面图; 

图6为用于表示第一实施例中所述第二行列标记第一步骤制备的俯视图; 

图7为用于表示第一实施例中所述第二行列标记第一步骤制备在B-B'方向的剖面图; 

图8为用于表示第一实施例中所述第二行列标记第二步骤制备的俯视图; 

图9用于表示第一实施例中所述第二行列标记第二步骤制备在B-B'方向剖面图; 

图10用于表示第二实施例中所述阵列基板的俯视图; 

图11用于表示第二实施例中所述阵列基板的第二行列标记在B-B'方向上的剖面图。 

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例对本实用新型进行详细描述。 

本实用新型具体实施例所述阵列基板,包括多个像素电极,其中所述阵列基板还设置有用于对特定像素电极进行坐标标记的行列标记。 

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