[实用新型]一种阵列基板及其平板显示器有效
申请号: | 201220728769.1 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN203134796U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 彦文晶;李俊谊 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1335 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 361101 福建省厦门市厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 平板 显示器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种平板显示器,特别涉及一种阵列基板及平板显示器。
背景技术
平板显示器具有完全平面化、轻、薄、省电等特点,符合未来图像显示器发展的必然趋势,近年来得到了飞速发展。目前主要的平板显示器包括:液晶显示器(Liquidcrystaldisplay,LCD)、有机发光显示器(Organiclight-emittingdiode display,OLED)、场效应显示器(Fieldemissiondisplay,FED)、等离子显示器(Plasmadisplaypanel,PDP)以及投影显示技术(包括CathodeRayTub,阴极射线管投影技术、Liquidcrystaldisplay,液晶显示投影技术、Liquidcrystalon Silicon,硅基液晶反射投影技术、DigitalLightProcession,数字光处理投影技术)等。液晶显示器是众多平板显示器件中发展最快、技术最成熟、应用面最广。通常,液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及填充于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶。
阵列基板上通常设置众多的薄膜层,通过对各薄膜层的刻蚀形成薄膜晶体管、像素电极以及公共电极等。为了将更多外围电路集成在阵列基板上,还会在阵列基板上形成一些驱动电路。随着薄膜晶体管的功能越来越强大,阵列基板上集成的电路越来越多,在形成薄膜晶体管和一些主要电路后,阵列基板表面的段差变得非常大。为避免较大的段差导致的各种显示问题,通常,在阵列基板表面会形成一层平坦层。
如图1所示,阵列基板100包括一绝缘层101、平坦层102以及一钝化层103。其中,所述平坦层102形成于所述绝缘层101上,所述钝化层103形成于所述平坦层102上。通常,平坦层102采用有机膜材料,而钝化层103的制作过程中,多采用高温工艺,有机膜材料在经过高温工艺后,会挥发出一些水汽和其他物质,但是这些挥发物质通常无法穿透膜质致密的钝化层,从而导致个 别区域的钝化层103的表面形成鼓起104(arraybubble),最终导致不良。特别是在显示区域外的周边区域内,钝化层鼓起的现象尤为明显。
另外,由于有机膜挥发物质存留在钝化层103和平坦层102之间,使所述钝化层103和平坦层102之间的粘附力下降,从而导致所述阵列基板100在后续的剥离信赖性测试(Peelingtest)中,容易出现钝化层103被剥落的情形。
实用新型内容
本实用新型提供一种阵列基板及其液晶显示器,以解决钝化层表面鼓起和剥离信赖性差的问题,从而实现降低阵列基板的不良发生率和提高信赖性品质的目的。
为解决上述技术为题,本实用新型提供一种阵列基板,包括:
一基板,所述基板包括显示区域和包围所述显示区域的周边区域;
一形成于所述基板上的平坦层;
一形成于所述平坦层上的钝化层;
其中,位于所述周边区域内的钝化层上设置有多个透气孔,位于所述周边区域内的所述平坦层上设置有多个通孔。
可选的,所述阵列基板还包括一形成于所述基板上的绝缘层,所述平坦层形成于所述绝缘层上。
可选的,所述透气孔暴露出部分所述平坦层,所述通孔暴露出部分绝缘层,所述钝化层通过所述通孔接触所述绝缘层。
可选的,所述透气孔与所述通孔交错设置。
可选的,所述透气孔与所述通孔间隔设置。
可选的,所述阵列基板还包括一形成于所述平坦层上的透明电极层,所述钝化层形成于所述透明电极层上,所述透气孔暴露出部分所述透明电极层,所述透明电极层上设置有多个穿孔,所述穿孔与所述通孔位置对应,所述钝化层通过所述穿孔和所述通孔接触所述绝缘层。
可选的,所述透明电极层是氧化铟锡或者氧化铟锌。
可选的,所述钝化层是氮化硅,所述平坦化层是有机膜。
可选的,所述透气孔和/或所述通孔为圆形或者方形。
相应的,本实用新型还提供一种液晶显示器,包括所述阵列基板和一与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的