[实用新型]带PWM移相全桥高压发生器的X射线机有效

专利信息
申请号: 201220727386.2 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN202979447U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 吴基玉;周奇;胡常胜;严伟;甘立劲 申请(专利权)人: 重庆华伦弘力实业有限公司
主分类号: H05G1/10 分类号: H05G1/10;A61B6/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400084 重庆市大渡*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: pwm 移相全桥 高压发生器 射线
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及高频X射线机领域,特别涉及一种带PWM移相全桥高压发生器的X射线机。

背景技术

高频X射线机可广泛应用于医疗检查、文物探测、文物鉴定、食品安全检测、种子活力检测、电路板故障检测、灾害现场救治检查等众多领域,高频X射线机采用IGBT开关控制高频率逆变结构,将电源板上220V高频交流电升高到6KV高频交流电。将该高频交流电倍增整流,形成直流高压。

随着开关电源的发展,PWM控制技术得到广泛运用,也越来越成熟。传统的控制模式,存在工作频率低,开关损耗大,转换效率低等缺点。通过移相式PWM技术,则可解决传统技术存在的问题,从而减小变压器的体积,缩小发生器的体积等优点。

新型PWM移相全桥在医疗X射线机上的运用,提高逆变工作频率及转换效率,缩小了发生器体积。

因此需要一种能提高逆变开关频率的X射线机。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能提高逆变开关频率的X射线机。该X射线机还提高了转换效率且缩小了高压发生器的体积。

本实用新型是通过以下技术方案来实现的:

本实用新型提供的带PWM移相全桥高压发生器的X射线机,包括高频X射线机和PWM移相控制电路和驱动放大芯片;所述PWM移相控制电路和驱动放大芯片电连接,所所述PWM移相控制电路,用于输出方波;所述驱动放大芯片,用于接收并放大PWM移相控制电路输出的方波。

进一步,所述驱动放大芯片包括第一驱动放大芯片和第二驱动放大芯片,所述第一驱动放大芯片与连接;所述第二驱动放大芯片与连接。

进一步,所述PWM移相控制电路采用PWM移相全桥电路。

进一步,所述PWM移相控制电路为PWM移相芯片UCC3895;所述移相全桥芯片UCC3895输出四路占空比为50%的方波,所述移相全桥芯片UCC3895设有两路固定输出和两路移相输出。

进一步,所述驱动放大芯片采用芯片TPS2812。

进一步,所述PWM移相全桥电路采用PWM峰值电流模式。

进一步,所述PWM移相全桥电路还设置有斜波补偿电路。

本实用新型的有益效果在于:本实用新型在X射线机上采用PWM移相全桥电路,提高逆变开关频率,提高转换效率,缩小高压发生器的体积;通过移相式PWM技术,解决了传统技术存在的问题,从而减小变压器的体积,缩小发生器的体积等优点。大大降低了由于窄脉宽对MOSFET的开关损耗,高逆变工作频率,缩小高压发生器的体积成为现实。并且采用PWM峰值电流模式,在移相全桥芯片上增加斜波补偿电路,实现了脉宽的任意调节。

附图说明

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细描述,其中:

图1为本实用新型实施例提供的带PWM移相全桥高压发生器的X射线机的结构图。

图中,PWM移相芯片UCC3895-1、驱动放大芯片TPS2812-2。

具体实施方式

以下将参照附图,对本实用新型的优选实施例进行详细的描述。应当理解,优选实施例仅为了说明本实用新型,而不是为了限制本实用新型的保护范围。

图1为本实用新型实施例提供的带PWM移相全桥高压发生器的X射线机的结构,如图所示:本实用新型提供的带PWM移相全桥高压发生器的X射线机,包括高频X射线机和PWM移相控制电路1和驱动放大芯片2,还有包括用于辅助电路实现相应功能的外围电路;所述PWM移相控制电路和驱动放大芯片电连接,所述PWM移相控制电路,用于输出四路占空比为50%的方波;所述驱动放大芯片,用于接收并放大PWM移相控制电路输出的方波。

所述驱动放大芯片包括第一驱动放大芯片和第二驱动放大芯片,所述第一驱动放大芯片与连接;所述第二驱动放大芯片与连接。

所述PWM移相控制电路采用PWM移相全桥电路。

所述PWM移相控制电路为PWM移相芯片1(UCC3895);所述移相全桥芯片UCC3895输出四路占空比为50%的方波,所述移相全桥芯片UCC3895设有两路固定输出和两路移相输出。

所述驱动放大芯片采用芯片2(TPS2812)。

所述PWM移相全桥电路采用PWM峰值电流模式。

所述PWM移相全桥电路还设置有斜波补偿电路,包括四路输出引脚,其中,两路为固定输出,另外两路为移相。从而大大降低了由于窄脉宽对MOSFET的开关损耗,高逆变工作频率,缩小高压发生器的体积成为现实。

最后说明的是,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管通过参照本实用新型的优选实施例已经对本实用新型进行了描述,但本领域的普通技术人员应当理解,可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变,而不偏离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围。

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