[实用新型]一种复合封装的IGBT器件有效
| 申请号： | 201220726212.4 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN202996833U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 杨林;严向阳;张国光 | 申请（专利权）人： | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 艾持平 |
| 地址： | 528051 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 封装 igbt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合封装的IGBT器件，其特征是，包括IGBT芯片和二极管芯片、底板、三个引脚和封装壳，所述底板与第二引脚连接、与第一引脚和第三引脚隔离，所述IGBT芯片和二极管芯片通过焊料粘接到底板上；所述的IGBT芯片的集电极（C）与二极管芯片的阴极（K）分别通过焊料与底板实现电气连接，IGBT芯片的发射极（E）与二极管芯片的阳极（A）分别通过导电引线与第三引脚的打线区实现电气连接，IGBT芯片的栅极（G）通过导电引线与第一引脚的打线区实现电气连接。
2.根据权利要求1所述的一种复合封装的IGBT器件，其特征是，在所述IGBT芯片和二极管芯片的下表面分别镀敷金属层，所述的IGBT芯片的集电极（C）与二极管芯片的阴极（K）分别通过金属层、焊料与底板实现电气连接。
3.根据权利要求2所述的一种复合封装的IGBT器件，其特征是，所述的金属层为银金属层，其厚度为1μm至10μm。
4.根据权利要求1所述的一种复合封装的IGBT器件，其特征是，所述焊料的厚度为20μm至60μm。
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