[实用新型]一种低通高隔离智能射频开关

说明书

技术领域

本发明涉及一种低通高隔离智能射频开关，属于射频开关领域。

背景技术

 射频开关要求在“开”和“关”状态下的电阻比率非常高。在实际的RF和微波频率，在与“关”状态下的电阻并联的漏源极电容，是影响其性能的最重要的参数。以单刀双掷开关为例，加上切断偏置电压时，隔离和插入损耗的电路可以用一个线性电路模拟器来计算。随着频率的增加，漏栅电容的容性电抗很大，开关的性能就会下降。目前存在的问题是尺寸小的场效应晶体管隔离度较好，但是导通性能较差，而大尺寸的场效应晶体管导通性能较好但隔离度较差，射频开关的导通性能和隔离性能难以平衡。而在一些大功率应用环境中，射频开关又有着过压失效的问题。

发明内容

发明目的：本发明提出一种低通高隔离智能射频开关，能够兼顾射频开关的隔离性能和导通性能，并且具备过压保护功能和静电保护功能。 

技术方案：本发明采用的技术方案为一种低通高隔离智能射频开关，包括由多栅场效应晶体管组成的自偏置开关电路，自偏置开关电路的输出端连接有功率检测电路，该功率检测电路在输出端的功率超过设定值时，发出报警信号。自偏置开关电路的第一偏置电压源和第二偏置电压源处设有静电保护电路，防止开关由于静电影响而失效。

作为本发明的进一步改进，所述功率检测电路包括与输出端连接的第一电阻，第一电阻的另一端连接到第一三极管的集电极，第一电容并联在第一三极管的集电极和基极之间，第一三极管的基极通过第二十二电阻与直流电压源连接，第一三极管的发射极与第二电容和第二电阻连接，第二电容和第二电阻的另一端接地，第四电阻和第五电阻串联，第四电阻的另一端连接到直流电压源，第三电阻并联在第一三极管的发射极和第四电阻与第五电阻的公共端之间，报警输出端连接在第一三极管的发射极。

所述静电保护电路包括漏极与第一偏置电压源连接的第二MOS管，漏极与第二MOS管的源极相连接的第三MOS管，第三MOS管的源极接地，第六电阻并联在第二MOS管的栅极和源极之间，第七电阻并联在第三MOS管的栅极和漏极之间。

漏极与第二偏置电压源连接的第四MOS管，漏极与第四MOS管的源极相连接的第五MOS管，第五MOS管的源极接地，第八电阻并联在第四MOS管的栅极和源极之间，第九电阻并联在第五MOS管的栅极和漏极之间。

有益效果：本发明通过使用多栅场效应晶体管，实现了射频开关在隔离性能和导通性能之间的平衡。同时可以给其它电路提供过压预警信号。

附图说明

图1为本发明一种低通高隔离智能射频开关的电路结构示意图；

图2为本发明一种低通高隔离智能射频开关的S系数仿真结果图；

图3为本发明一种低通高隔离智能射频开关的报警输出端电压与输出端功率变化关系图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

如图1所示，本发明低通高隔离智能射频开关主要包括自偏置开关电路、静电保护电路和功率检测电路三个模块。