[实用新型]一种用于制备晶圆上包层的专用设备

说明书

技术领域

本实用新型属于光无源器件领域，尤其涉及一种用于制备晶圆上包层的专用设备。

背景技术

晶圆包括衬底、设于该衬底上的光波导以及设于所述衬底上且完全覆盖光波导的二氧化硅上包层。

目前，上包层一般火焰水解法来制备，该制备工艺的第一步是利用SiCl₄的水解反应，在硅基片上沉积出玻璃粉末层，作为上包层。在沉积上包层时，利用POCl₃和BCl₃的水解反应掺入P₂O₅和B₂O₃，以调节折射率，调整玻璃的高温性能，此过程中发生的化学反应如下：

现有制备上包层的专用设备包括旋转平台和单个火炬，若干个晶圆(未包含上包层)均布在所述旋转平台顶面的同一圆周上，所述火炬竖直设置于所述旋转平台的上方，且火炬的喷射口朝向所述晶圆，H₂、O₂、SiCl₄、BCl₃、POCl₃五种化学气体从火炬的喷射口中喷出，通过化学反应，生产SiO₂、P₂O₅、B₂O₃粉末，并通过火炬的水平方向上的来回移动，同时旋转平台自身旋转，使得SiO₂、P₂O₅、B₂O₃粉末能够均匀的分布在晶圆表面。而通过单个火炬内发生化学反应，制备30μm厚的上包层需要5-6小时，时间较长，生产效率低下。

发明内容

本实用新型的目的，就是为了解决上述问题而提供了一种高效率的用于制备晶圆上包层的专用设备。

本实用新型的目的是这样实现的：

本实用新型的一种用于制备晶圆上包层的专用设备，该专用设备安装于旋转平台的上方，若干个晶圆设于所述旋转平台的顶面上且均分于同一圆周上，其特征在于，所述专用设备包括至少两个火炬，所述火炬竖直设置于所述旋转平台的上方，所述火炬向下延伸至所述旋转平台顶面上的垂足均布于同一圆周上，且与所述晶圆所位于的圆周重合。

本实用新型通过增加火炬的数量，在反应速度以及其他条件不改变的情况下，既节约了工作时间，又提高了生产效率。

附图说明

图1是本实用新型一种形式的结构示意图；

图2是本实用新型另一种形式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本实用新型作进一步说明。

实施例1

请参阅图1，若干个晶圆2设于旋转平台1的顶面上且均分于同一圆周上，本实用新型专用设备包括两个火炬3，两个火炬3左右对称且竖直设置于旋转平台1的上方，火炬3向下延伸至旋转平台顶面1上的垂足位于晶圆2所在圆周上。

本实用新型增加了一个火炬3，工作时，两个火炬3同时发生化学反应产生SiO₂粉末，使得制作30μm的波导包层的时间可降低到2-3小时，大大缩短了生产时间。

实施例2

请参阅图2，若干个晶圆2设于旋转平台1的顶面上且均分于同一圆周上，本实用新型专用设备包括四个火炬3，四个火炬3竖直设置于旋转平台1的上方，火炬3向下延伸至旋转平台顶面1上的垂足均布于晶圆2所在圆周上。

以上实施例仅供说明本实用新型之用，而非对本实用新型的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴，应由各权利要求所限定。