[实用新型]一种OLED器件及显示装置有效
申请号: | 201220699146.6 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN203085548U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 孙中元;贺增胜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED器件及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode即有机发光二极管)器件由于其具有的全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、工作温度范围宽、可实现柔性显示等一系列优点,目前已经成为极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。OLED器件中使用的有机发光材料和阴极材料对水和氧气特别敏感,过于潮湿或氧气含量过高都将影响OLED器件的使用寿命。为了达到设计的使用寿命10000h,通常要求水、氧的渗透率要分别小于5×10-6g/m2·day和10-3m3/m2·day,这就对OLED器件的封装提出了更高的要求。
为了有效的阻隔水和氧对OLED器件的影响,目前常采用后盖式封装等方式对OLED器件进行封装。传统的后盖式封装器件结构可以如图所示1,其中11为封装基板(Encap Glass),其表面贴有片状干燥剂12,为了消除封装基板的表面段差,封装基板11设计具有深度大于等于片状干燥剂12的厚度的凹槽,片状干燥剂12贴在该凹槽中;下基板为TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)阵列基板13,其上蒸镀有OLED结构14,TFT阵列基板13和封装基板12采用封框胶15进行粘结固定,以实现密闭的器件结构,阻隔空气中的水和氧气。其中,片状干燥剂12的主要成分可以是氧化钙、氧化锶等,其作用是吸收OLED器件密闭空间内的水汽和氧气,以延长OLED器件的使用寿命。
现有的OLED器件封装方法的不足之处在于,封装基板上的凹槽需要采用刻蚀等方法制备而成,从而增加了产品的生产成本;此外,由于封装基板上凹槽也需要一定的深度,这就导致封装基板的总厚度大大增加,从而难以满足产品轻薄化的要求。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种OLED器件及其封装方法、显示装置,封装基板上无需设置凹槽,可以降低产品的生产成本,降低封装基板的厚度。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型实施例的一方面,提供一种OLED器件,包括:阵列基板和封装基板,所述阵列基板的表面制作有OLED结构,所述阵列基板和所述封装基板的边缘通过封框胶粘结固定,所述OLED结构位于所述阵列基板和所述封装基板之间,还包括:
所述OLED结构的表面制作有用于阻隔水汽和氧气的防潮层;
位于所述防潮层与所述封装基板之间的干燥剂层,所述干燥剂层包括用于吸收所述OLED器件内部水汽和氧气的干燥剂微粒。
所述干燥剂微粒为球状干燥剂,所述球状干燥剂的直径在0.04~0.07mm之间。
所述OLED器件还包括用于支撑所述阵列基板和所述封装基板之间盒厚的隔垫物;
所述隔垫物位于所述封框胶的内部。
所述隔垫物包括球状硅材料隔垫物;
所述球状硅材料隔垫物的直径大于所述阵列基板和所述封装基板之间的全部层级结构的厚度之和。
所述防潮层包括氮化硅SiNx薄膜或氧化硅SiOx薄膜;
所述防潮层的厚度在之间。
所述干燥剂微粒包括氧化钙CaO或氧化锶SrO中的至少一种。
本实用新型实施例的另一方面,提供一种显示装置,包括:如上所述的OLED器件。
本实用新型实施例提供的OLED器件及显示装置,其中,OLED器件包括阵列基板和封装基板,该阵列基板的表面形成有OLED结构,阵列基板和封装基板的边缘通过封框胶粘结固定,OLED结构位于阵列基板和封装基板之间,OLED结构的表面制作有用于阻隔水汽和氧气的防潮层,在该防潮层与封装基板之间还包括干燥剂层,该干燥剂层包括用于吸收OLED器件内部水汽和氧气的干燥剂微粒。采用这样一种结构的OLED器件,通过在OLED结构的表面均匀的散布干燥剂微粒能够产生与片状干燥剂相同的干燥效果,从而可以取代片状干燥剂,从而使得封装基板无需设置胶粘片状干燥剂的凹槽,降低了产品的生产成本,降低了封装基板的厚度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种OLED器件的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的