[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201220696955.1 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN202939398U | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 张明;李琳;田川;宗志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
背景技术
随着科技的不断进步,用户对液晶显示设备的需求日益增加,TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。此外,随着显示设备的普及,用户对高色彩质量、高对比度、高可视角度、高响应速度且低功耗的需求越来越普遍,OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器也开始逐渐进入用户的视野,用户对显示器的质量要求也越来越高。而在目前的显示器中,薄膜晶体管阵列基板的稳定性是影响显示器的质量的因素之一。
现有的薄膜晶体管阵列基板,通常采用在源极与数据线之间建立一条连接线的方式实现数据线与薄膜晶体管之间的连接,但是当该连接线DO(Data Open,数据线断开)时,薄膜晶体管与数据线之间的连接则断开,进而发生故障,造成薄膜晶体管阵列基板稳定性差,良品率低,且修复十分困难。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置,能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时,实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复,提高薄膜晶体管阵列基板的良品率,提升薄膜晶体管阵列基板的稳定性。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板,包括基板,设置于所述基板上的栅线和公共电极线,设置于所述栅线和公共电极线上的栅绝缘层,设置于所述栅绝缘层上的有源层,设置于所述有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层,其中,所述源极与所述有源层相接触,所述漏极与所述有源层相接触,所述漏极与所述像素电极层相接触并电连接,
所述源极包含至少一个第一修复线,所述数据线包含至少一个第二修复线,所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区,以使当所述源极与所述数据线断开时,所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。
所述第一修复线与所述冗余区之间形成有过孔,所述第二修复线与所述冗余区之间形成有过孔。
所述数据线还包括第三修复线,所述第三修复线位于所述公共电极线的上方。
所述数据线还包括第四修复线,所述第四修复线位于所述栅线的上方。
本实用新型实施例提供一种显示装置,包括具有上述任意特征的薄膜晶体管阵列基板。
本实用新型实施例所提供的薄膜晶体管阵列基板及显示装置,薄膜晶体管阵列基板包括基板,设置于基板上的栅线和公共电极线,设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层,设置于栅绝缘层上的有源层,设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层,其中,源极与有源层相接触,漏极与有源层相接触,漏极与像素电极层相接触并电连接,源极包含至少一个第一修复线,数据线包含至少一个第二修复线,栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区,以使当源极与数据线断开时,源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通。通过该方案,由于在阵列基板上形成了第一修复线、冗余区以及第二修复线,能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时,实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复,提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率,提升了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图一;
图2为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图一;
图3为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图二;
图4为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图二;
图5为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图三;
图6为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图四;
图7为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图三;
图8为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图四;
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