[实用新型]一种阵列基板有效
| 申请号： | 201220696219.6 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN202975547U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨静;宁策 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 | ||
1.一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每个所述像素区域包括：
位于衬底基板上的漏电极、源电极以及与所述漏电极搭接的像素电极，其中，所述像素电极采用单壁碳纳米管材料；
位于所述漏电极、所述源电极及所述像素电极上的有源层；
位于所述有源层上的栅绝缘层；以及
位于所述栅绝缘层上的栅极和公共电极，该公共电极具有狭缝状结构。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极采用单壁碳纳米管材料。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层采用金属氧化物半导体材料；且所述有源层中未与所述栅绝缘层接触的部分经氧化处理后具有绝缘特性。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏电极和所述源电极与所述像素电极为同层设置，且采用相同的材料；或，
所述漏电极和所述源电极均采用金属材料，且所述源电极与所述衬底基板之间形成有辅助电极，所述辅助电极与所述像素电极同层设置且采用相同的材料。
5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极同层设置，且采用相同的材料；或
所述栅极采用金属材料；且所述栅极和所述栅绝缘层之间形成有透明电极，所述透明电极与所述公共电极同层设置且采用相同的材料。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层和所述有源层上与所述源电极对应的位置具有贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔。
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