[实用新型]一种顶发射有机电致发光器件和显示器有效
申请号: | 201220682706.7 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN203134868U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 郭远辉;王辉;叶訢;秦锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 有机 电致发光 器件 显示器 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种顶发射有机电致发光器件和显示器。
背景技术
到目前为止,实际应用的显示器主要有阴极射线管(CRT),液晶显示器(LCD)、真空荧光器件(VFD)、等离子显示器(PDP)、有机电致发光器件(OLED)、场发射显示器(FED)和电致发光显示器(ELD)等。OLED作为新型的平板显示器与LCD相比,具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点。OLED正是由于具有其他显示器不可比拟的优势以及美好的应用前景得到了产业界和科学界的极大关注。
图1所示为现有技术常用的底发射有机电致发光器件结构示意图,该器件包括依次排列的反射阴极101、电子传输层102、发光层103、空穴传输层104、透明阳极105和基底106。这种器件是生长在透明柔性基底上以氧化铟锡(ITO)为透明阳极,而且光从ITO柔性基底这一侧取出,故称为底发射器件(Bottom-emitting OLED,BEOLED)。而顶发射器件(Top-emitting OLED,TEOLED)的光的取出则是来自顶电极一侧,如图2所示为现有技术中采用金属阴极的顶发射有机电致发光器件结构示意图,该器件包括依次排列的金属阴极201、电子传输层202、发光层203、空穴传输层204、反射阳极205和基底206,该器件光从金属阴极201侧取出。
目前的柔性OLED一般采用薄膜晶体管TFT(Thin Film Transistor)阵列驱动,若采用常规的底发射结构器件,柔性OLED面板的发光只能从驱动该面板的TFT主板上设置的开口部射出,因此,透出面板外的发光仅占发光层发光的30%-50%,大部分发光都被浪费。而采用顶发射结构可以解决普通的底发射器件开口率低的不足,从器件的顶部半透明电极表面直接获取发光,对开口率几乎没有影响,有利于实现大型、高信息含量、高显示亮度、高分辨率的有机平板显示器。另外顶发射器件结构可以实现光谱的窄化,对发射波长具有选择,提高器件发光的色纯度。
顶发射器件中顶端阴极材料的选取主要有两类,第一类为金属材料,如图2所示,使用热蒸镀的方式可以将这类金属材料镀在电子传输层表层,形成金属阴极,目前使用的金属阴极包括:Al/Ag、Ca/Ag、Sm/Ag等,金属阴极的制作工艺过程简单,蒸镀金属材料对有机层损害小,保证了有机层的电学性能,所述有机层包括电子传输层、发光层和空穴传输层。但是在蒸镀这类金属材料的过程中,金属阴极太薄会使得器件的导电率不好,而太厚会使得器件的透过率偏低,对于顶发射OLED来说,金属阴极可能会造成微腔效应,使得器件的光学设计非常复杂。由于金属阴极是半透明的,光透过率低,可以在金属阴极表明面加上增透膜,通过控制金属阴极和增透膜的厚度来增加器件的出光量,但是其工艺控制复杂,光透过率不高。第二类为氧化铟锡(ITO),相对于金属阴极,ITO透明并且导电率高,减小了顶发射过程中的光损耗,但是这类材料也有相关的缺点,比如溅镀工艺复杂,这类电极一般都是通过溅镀的方式生长上去的,在溅镀过程中,溅镀会对有机层造成损害。为了在有机层上溅镀透明性良好而且导电率高的ITO,研究者主要采用了两种方法,一种是发展特殊的溅镀系统,比如用直流(DC)溅镀代替传统的射频(RF)溅镀,但是没有实用性的结果,另一种方法是改进有机层界面的热稳定性,并使之可以抵挡溅镀时高能量粒子。
由此可见,现有技术的顶发射有机电致发光器件,采用金属阴极时器件光透过率低,工艺难度系数大;而采用透明阴极时,透明阴极溅镀会对有机层造成损害,产生层渗析。
实用新型内容
本实用新型提供一种顶发射有机电致发光器件和显示器,用以解决现有技术中透明阴极溅镀时对有机层的损害引起的层渗析问题。
本实用新型包括:
一种顶发射有机电致发光器件,包括阴极改善层,所述阴极改善层位于透明阴极和电子传输层之间。
所述阴极改善层为具有电子传输性质的高聚物的阴极改善层。
所述的具有电子传输性质的高聚物由含有光交联基团的有机小分子制得。
所述的有机小分子为8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或苯基联苯基噁二唑。
所述的阴极改善层的厚度为10-100nm,优选的所述阴极改善层的厚度为40nm。
所述透明阴极为透明导电氧化物的透明阴极,所述透明导电氧化物为氧化铟锡、氧化铟锌、铟镓锌氧化物或氧化锡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择