[实用新型]张应变锗薄膜

权利要求书

1.一种张应变锗薄膜，其特征在于，包括含Ge薄膜（1）、及覆盖于所述含Ge薄膜（1）上、用于在压应变弛豫的过程中将应变转移给所述含Ge薄膜（1）、使所述含Ge薄膜（1）受到张应变的应变薄膜（2），其中，所述应变薄膜（2）的厚度大于所述含Ge薄膜（1）的厚度。

2.根据权利要求1所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述张应变锗薄膜还包括衬底（3），所述含Ge薄膜（1）覆盖于所述衬底（3）上，所述应变薄膜（2）覆盖于所述含Ge薄膜（1）上。

3.根据权利要求2所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述衬底（3）包括硅衬底或者绝缘体上的硅衬底。

4.根据权利要求2或3所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述衬底（3）上腐蚀形成有孔（4）。

5.根据权利要求4所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述孔（4）为其深度等于所述衬底（3）厚度的通孔，所述应变薄膜（2）设于所述孔（4）内、且覆盖在所述含Ge薄膜（1）上。

6.根据权利要求4所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述衬底（3）包括Si基底（31）、覆盖在所述Si基底（31）上的埋层SiO₂（32）、以及覆盖在所述埋层SiO₂（32）上的顶层Si（33），所述孔（4）在所述Si基底（31）上形成、且所述孔（4）的深度等于所述Si基底（31）的厚度；所述含Ge薄膜（1）位于所述应变薄膜（2）和所述衬底（3）之间。

7.根据权利要求5或6所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述孔（4）的底部的面积小于所述含Ge薄膜（1）的面积。

8.根据权利要求1所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述含Ge薄膜（1）包括Ge单质层、Si_1-yGe_y合金层或者Ge_1-zSn_z合金层，其中，y=0.8～1，z=0～0.1。

9.根据权利要求8所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述含Ge薄膜（1）的横向尺度小于200微米，厚度介于5～1000纳米。

10.根据权利要求1所述的张应变锗薄膜，其特征在于，所述应变薄膜（2）包括氮化硅薄膜、碳化硅薄膜、碳氮化硅薄膜、氮化硼薄膜或者钨薄膜。