[实用新型]高压链式静止无功发生装置的功率模块有效
| 申请号: | 201220674840.2 | 申请日: | 2012-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN202997581U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
| 发明(设计)人: | 任兴旺;刘文华;刘文辉 | 申请(专利权)人: | 北京思源清能电气电子有限公司 |
| 主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18;H05K7/20 |
| 代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高压 链式 静止 无功 发生 装置 功率 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及的是一种交流配电技术领域的装置,具体是一种6KV以上的高压链式静止无功发生装置的功率模块。
背景技术
静止无功发生装置(以下简称SVG)是一种新型的基于电压源换流器的动态无功补偿装置,其性能优于传统的晶闸管投切电容器(简称TSC)、静止无功补偿器(简称SVC)等补偿设备,还能够同时实现有源谐波,是今后高压大容量动态无功补偿器的发展方向。
H桥逆变器是高压链式SVG功率电路的最基本单元,每相多个H桥逆变器串联后,构成了高压链式SVG的完整功率电路,它是实现动态无功补偿的主要部件,也是决定高压SVG装置特性、体积等诸多因素的主要部件。目前简单的SVG单元由于运行电流不是很大,它的逆变功率单元往往都是直接使用单个绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)模块即可,结构上也会极为简单。而大容量SVG的情况就大不相同了,逆变器由于多个IGBT联接,结构相对复杂、体积大,安装维护不方便;其运行电流特别大,母排杂散电感量及相应回路电感大,实际运行中的尖峰电流较高,对IGBT的运行安全性以及其控制电路影响较大。
经过对现有技术的检索发现,中国专利文献号CN1710773A,公开日2005-12-21,记载了一种基于IGBT模块的DSP控制静止无功发生器及控制方法,由主电路和控制电路组成,主电路由三相整流桥、直流滤波器、逆变器功率模块、低通滤波器、隔离变压器组成,三相整流桥、直流滤波器、逆变器功率模块、低通滤波器、隔离变压器依次串。但该现有技术没有公开大容量SVG的结构设置方案。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术存在的上述不足,提出一种高压链式静止无功发生装置的功率模块,提高散热效果,降低回路电感,简化结构,使其安装维护更方便,运行更安全。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
本实用新型涉及一种高压链式静止无功发生装置的功率模块,包括:直流电容器组、若干个IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、水冷散热器、叠层母排、PCB(印刷电路板)控制组件和壳体框架,其中:直流电容器组设置于壳体框架内,水冷散热器与壳体框架固定且位于直流电容器组的前方,若干绝缘栅双极型晶体管IGBT设置于水冷散热器上且由叠层母排与直流电容器组联接,PCB控制组件设置于直流电容器组的后方且与壳体框架固定。
所述的直流电容器组包括:若干并联的电容。
所述的若干个IGBT通过并联方式连接。
所述的水冷散热器的进水口和出水口分别设置于壳体框架的两侧。
本实用新型结构紧凑合理,散热效果好,机械强度高,创造条件降低连接母排的杂散电感量且整个回路分布电感小,保障IGBT的安全运行;水冷散热器的进/出水口分别布置在壳体框架两侧,与桥式逆变器内部器件有效隔离,电气安全性高;另外还有安装及维护方便,使用安全可靠,体积较小的优点。由于整套高压链式静止无功发生器装置中的桥式逆变器数量较多,因此,桥式逆变器结构的紧凑能够使整套装置的占地面积显著减少,并无须其它柜体框架可直接叠层安装,更适合室内安装放置,甚至在更狭小的空间内放置,如集装箱,也便于生产制造部门大批量组织标准化生产,有利于提高产品质量。
附图说明
图1为本实用新型的立体图;
图2为图1的背面立体图;
图3为图1的主视图;
图4为图1的左视图。
具体实施方式
下面对本实用新型的实施例作详细说明,本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
实施例
如图1所示,本实施例包括:直流电容器组1、若干个IGBT 2、水冷散热器3、叠层母排4、PCB控制组件5和壳体框架6,其中:直流电容器组1设置于壳体框架6内,水冷散热器3与壳体框架6固定且位于直流电容器组1的前方,若干绝缘栅双极型晶体管IGBT2设置于水冷散热器3上且由叠层母排4与直流电容器组1联接,PCB控制组件5设置于直流电容器组1的后方且与壳体框架6固定。
所述的直流电容器组1包括:若干并联的电容。
所述的若干个IGBT2通过并联方式连接。
所述的水冷散热器3的进水口和出水口分别设置于壳体框架6的两侧。
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