[实用新型]用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置

权利要求书

1.一种用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，包括晶片衬底（03）和电极（02），所述晶片衬底（03）放置于电极（02）上，其特征在于：还包括陶瓷压环（04）、压环连杆（05）、连杆支架（06）、永磁体组对（07）、驱动电机（10）、电机支架（11）；所述陶瓷压环（04）设置在晶片衬底（03）上方，通过压环连杆（05）与连杆支架（06）相连接；所述永磁体组对（07）包括两个相对应设置相互磁力耦合的第一组永磁体和第二组永磁体；所述第一组永磁体与连杆支架（06）固定连接，所述第二组永磁体固定在驱动电机（10）上，所述驱动电机（10）活动连接设置在电机支架（11）上。

2.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：还包括真空腔体（01），所述电极（02）与真空腔体（01）形成一个闭合的真空腔室，所述晶片衬底（03）和陶瓷压环（04）置于所述真空腔室内；所述压环连杆（05）上端设置在真空腔室内与陶瓷压环（04）相连，穿过真空腔体（01）的腔壁，另一端设置在真空腔室外与连杆支架（06）相连。

3.根据权利要求2所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：还包括软性真空波纹管（12），在所述真空腔体（01）外表面与连杆支架（06）之间的压环连杆（05）外套置有起真空密封作用的软性真空波纹管（12）。

4.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：还包括永磁体支架（08）和运动导杆（09），所述第一组永磁体通过永磁体支架（08）与连杆支架（06）固定连接，所述永磁体支架（08）活动连接设置在运动导杆（09）上。

5.根据权利要求1-4任一项所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：还包括晶片顶针（13）和顶针支架（15），所述晶片顶针（13）穿过电极（02），顶端与晶片衬底（03）的下表面接触，底端抵在顶针支架（15）上；和/或, 还包括驱动导杆（16），所述连杆支架（06）上固定设置有用于驱动晶片顶针（13）作上下运动的驱动导杆（16），所述驱动导杆（16）上端结构与顶针支架（15）底部相配合。

6.根据权利要求5所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：还包括软性波纹管（14），在所述电极（02）与顶针支架（15）之间的晶片顶针（13）外套置有起真空密封作用的软性波纹管（14）。

7.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：所述第一组永磁体和第二组永磁体为一块或多块永磁体，且平行设置在同一平面上相对应位置； 和/或,所述第一组永磁体和第二组永磁体平行端面之间的垂直距离为2-20毫米。

8.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：所述第一组永磁体和第二组永磁体为剩磁度在0.5-1.5特斯拉的永磁体；和/或, 所述第一组永磁体和第二组永磁体为稀土永磁体； 和/或,所述第一组永磁体和第二组永磁体为钕铁永磁体或钐钴永磁体。

9.根据权利要求1所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：所述第一组永磁体和第二组永磁体设置有用于实现磁力耦合的加强体，和/或,所述加强体的材质对永磁体的磁力不产生屏蔽、衰减或发散，同时对高频电磁辐射能起到屏蔽作用； 和/或,所述加强体的材质为金属铝、铝合金、陶瓷或硬质塑料。

10.根据权利要求9所述的用于真空等离子体工艺的机械式晶片卡压装置，其特征在于：所述加强体的厚度比第一组永磁体和第二组永磁体平行端面之间的垂直距离小2-10毫米。