[实用新型]用于驱动高压器件的驱动电路

权利要求书

1.一种用于驱动高压器件的驱动电路，其特征在于，包括： 

稳压二极管，其阴极连接至高压供电电压，其阳极经过电阻器接至低电压域的地电位； 

高压PMOS晶体管，其栅极与所述电阻器的阳极连接，其漏极接至所述低电压域的地电位，其源极可操作以提供高电压域的地电位； 

电平转换器，其工作电压端连接至所述高压供电电压，其第一接地端接至所述低电压域的地电位，其第二接地端接至所述高电压域的地电位，所述电平转换器可操作以将收到的低电压域中的第一信号转换为高电压域中的第二信号并输出所述第二信号；以及 

低压驱动电路，连接在所述高压供电电压与所述高电压域的地电位之间，可操作以接收所述第二信号，并且将所述第二信号适配为可以驱动高压器件的第三信号。 

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，其中所述低压驱动电路包括：低压PMOS晶体管和低压NMOS晶体管，它们的栅极连接在一起用于接收所述第二信号，它们的漏极连接在一起用于提供所述第三信号，所述低压PMOS晶体管的源极接至所述高压供电电压，所述低压NMOS晶体管的源极接至所述高电压域的地电位。 

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，其中所述低压驱动电路包括低压运算放大电路，其输入端用于接收所述第二信号，其输出端用于提供所述第三信号。 

4.根据权利要求2或3所述的驱动电路，其特征在于，还包括：高压PMOS晶体管和高压NMOS晶体管，所述高压PMOS晶体管的源极和所述高压NMOS晶体管的源极分别接至所述高压供电电压和所述低电压域的地电位，所述高压PMOS晶体管的栅极用于接收所述第三信号，所述高压NMOS晶体管的栅极用于接收所述第一信号，所述高压PMOS晶体管的漏极和所述高压NMOS晶体管的漏极连接在一起用于提供第四信号。 

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，其中所述第一信号的变化范围在0伏与5伏之间，所述第二信号和所述第三信号的变化范围在所述高压供电电压减5伏与所述高压供电电压之间，所述第四信号的变化范围在0伏与所述高压供电电压之间。 

6.根据权利要求1-3中任一项所述的驱动电路，其特征在于，其中所述高压供电电压为100伏或100伏以下的任一预定电压值。 

7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，其中所述高压供电电压为8伏、12伏、20伏、24伏、48伏中的一个。 

8.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述电平转换器包括多个开关元件。 

9.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述电平转换器包括串联的第一反相器和第二反相器，其中所述第一反相器工作在所述高压供电电压与所述低电压域的地电位之间，用于接收所述第一信号；并且其中所述第二反相器工作在所述高压供电电压与所述高电压域的地电位之间，用于提供所述第二信号。