[实用新型]一种快恢复二极管芯片有效
| 申请号： | 201220666111.2 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN203205428U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 邓华鲜 | 申请（专利权）人： | 乐山嘉洋科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光军 |
| 地址： | 614000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种快恢复二极管芯片，包括N+层（1）和P+层（2），其特征在于：还包括设置在N+层（1）和P+层（2）之间的用于电流漂移的N型层（3）。
2.根据权利要求1所述的一种快恢复二极管芯片，其特征在于：还包括位于P+层（2）外侧的至少一层用于分压的P－层（4）。
3.根据权利要求2所述的一种快恢复二极管芯片，其特征在于：所述P－层（4）为闭合环。
4.根据权利要求3所述的一种快恢复二极管芯片，其特征在于：还包括设置在最外层P－层（4）上的玻璃钝化层（5）。
5.根据权利要求4所述的一种快恢复二极管芯片，其特征在于：所述N+层（1）或P+层（2）表面均设置有镀镍合金层（6）。
6.根据权利要求5所述的一种快恢复二极管芯片，其特征在于：所述P+层（2）表面设置有金属铝层。
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