[实用新型]光源模组有效
| 申请号: | 201220663458.1 | 申请日: | 2012-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN202946977U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
| 发明(设计)人: | 陈建仰 | 申请(专利权)人: | 志圣工业股份有限公司 |
| 主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V17/10;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人: | 任琳 |
| 地址: | 510850 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光源 模组 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光源模组,尤其涉及一种利用紫外光发光二极管晶片作为发光源的光源模组。
背景技术
紫外(ultraviolet,uv)光为一种电磁辐射,其波长比可见光短,为10~400纳米(nm),目前多应用于干燥、固化(curing)及微影(lithography)等领域,例如:利用紫外光照射以缩短印刷油墨干燥的时间、使紫外线固化树脂硬化以及光阻曝光。
传统多使用高压水银灯(或称汞灯)以产生紫外光,然而水银灯具有耗电量高及点亮时容易产生高温等缺点,加上水银灯具有毒性,因而逐渐地被具有耗电量小、不含汞及使用寿命长的发光二极体所取代。
配合参阅图1,为现有技术中的紫外光发光二极体光源模组的局部剖视图。紫外光发光二极体光源模组50包含一电路板510、多个发光二极体520及一透光罩体530,电路板510较佳地为印刷电路板(printed circuit board,PCB)且其上预先形成有多数电路布线(未图标)及焊垫(未图示)。
发光二极体520设置于电路板510并电连接于电路板510,各发光二极体520包含一封装座体522、二导电支架524、至少一发光二极管晶片526及一光学透镜528,封装座体522使用绝缘材料制作而成并具有一容置槽523。导电支架524的一端贯穿封装座体522并位于容置槽523,另一端自封装座体522外侧翻转至封装座体522底面,用以与电路板510形成电性连接。发光二极管晶片526设置于该容置槽523,并通过多数导线527电连接于多个导电支架524,其中发光二极体520可以包含一个或多个发光二极管晶片526,于此仅以一个为例说明。
光学透镜528可以为胶体,如环氧树脂(epoxy)或硅树脂(silicon),并填充于容置槽523以包覆多数导线527及发光二极管晶片526;另外,光学透镜528具有一外凸弧面,以扩大通过的光线的折射角度。
封装座体522虽然可以有效地提升发光二极体520的绝缘性,但却使得发光二极体520的散热效果差,致使发光二极管晶片526的发光效率及使用寿命降低;加上发光二极体520必须包含封装座体522及光学透镜528,使得整体的体积大,使得相邻的二发光二极体520之间的排列距离d大,也即多个发光二极体520无法达到紧密排列,进而使得紫外光发光二极体光源模组50的光均匀度差。另外,环氧树脂或硅树脂制成的光学透镜528于吸收紫外光后,会逐渐地劣化变黄,使得紫外光发光二极体光源模组50的光穿透率差并产生色偏。
此外,透光罩体530与发光二极管晶片526之间的设置距离h大大的影响紫外光发光二极体光源模组50的光均匀度;当透光罩体530距离发光二极管晶片526近,虽然可以有效地提升投射至透光罩体530之光线的辐射照度,但却使得光均匀度差;若提高透光罩体530与发光二极管晶片526之间的设置距离h,虽然可以使紫外光发光二极体光源模组50的光均匀度提升,但却使得辐射照度减弱,并可能致使紫外光发光二极体光源模组50无法符合干燥、固化及微影的需求。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种光源模组,可以有效地降低整体高度以提供辐射照度并产生一均匀出光面。
为实现上述目的,本实用新型提供一种光源模组,包括一散热基板,具有一电路层;多个发光二极管晶片,直接地排列于所述散热基板的一侧并电连接于所述电路层,所述的多个发光二极管晶片的发光波段为220~450纳米;以及一热交换机构,设置于所述散热基板的另一侧。
较佳地,还包括一透光罩体,撑立于所述散热基板设置有所述的多个发光二极管晶片的一侧并罩合所述的多个发光二极管晶片。
较佳地,所述的多个发光二极管晶片的发光波段为365纳米、385纳米及395纳米的其中之一。
较佳地,所述的多个发光二极管晶片呈矩阵排列。
较佳地,相邻的两列沿着一第一轴向排列的多个发光二极管晶片分别于一垂直于所述第一轴向的第二轴向呈错位设置。
较佳地,所述的多个发光二极管晶片包含:多个第一发光二极管晶片,所述第一发光二极管晶片的发光波段为390~400纳米;多个第二发光二极管晶片,所述第二发光二极管晶片的发光波段为380~390纳米;多个第三发光二极管晶片,所述第三发光二极管晶片的发光波段为360~370纳米。
较佳地,所述第一发光二极管晶片的发光波段395纳米,所述第二发光二极体的发光波段为385纳米,所述第三发光二极体的发光波段为365纳米。
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