[实用新型]一种带有多层光栅层的半导体激光芯片结构有效
| 申请号： | 201220661682.7 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203056368U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;尧舜;潘飞 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 多层 光栅 半导体 激光 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有多层光栅层的半导体激光芯片结构，其特征在于：
在衬底(1)材料上，采用金属有机化学气相沉积法进行外延层生长，依次生长的N型掺杂的限制层(2)，N型掺杂的波长选择层(3)，N型掺杂的波导层(4)，量子阱(5)，P型掺杂的波导层(6)，P型掺杂的波长选择层(7)，P型掺杂的限制层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种带有多层光栅层的半导体激光芯片结构，其特征在于：所述的作为波长选择层的N型掺杂的波长选择层(3)，P型掺杂的波长选择层(7)是由多对交替生长的两种不同折射率和光学厚度为输出激光波长的1/4的材料组成。
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