[实用新型]一种晶体硅太阳正面主栅电极

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳电池技术领域，特别涉及一种晶体硅太阳正面主栅电极。

背景技术

太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件，由于其清洁、无污染、取之不尽，用之不竭，受到越来越多的关注。目前广泛采用的是硅太阳能电池，其制造工艺也已经标准化，主要步骤为：化学清洗及表面结构化处理（制绒）-扩散制结-周边刻蚀-沉积减反射膜-丝网印刷-烧结。其中，丝网印刷首先进行背面电极的印刷，浆料一般为Ag/Al浆，烘干后印刷背面电场，浆料为Al浆，烘干后经过翻转器翻转印刷正面电极，浆料为Ag浆。对于多晶156电池片，正面主栅一般为三根，中间一根位于电池片中间，边缘两根背电极距电池片边缘的距离均为26mm，，亦即距边缘两根的距离均为52mm。正面主栅的主要作用是为组件部分提供焊接点，有利于光生电流的输出。

然而，采用上述方式，正面主栅Ag浆的单耗太大，目前湿重的控制范围是0.13-0.15g，且由于正面主栅的遮光面积太大，导致电池片真正受光面积较小，且正电极与硅片的接触电阻较大，使电池片的光电转换效率下降。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种可减小正电极覆盖在硅片上的面积，减小正电极与硅片的接触电阻，提高太阳能电池片的光电转换效率的晶体硅太阳正面主栅电极。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型所述的一种晶体硅太阳正面主栅电极，包括三条主栅线、以及与所述主栅线垂直的多条副栅线，所述主栅线等距且平行设置，所述主栅线包括镂空段、与所述镂空段相连的实心段。

进一步地，所述实心段的长度L1为1.5～1.7mm，宽度W1为0.1～0.3mm。

进一步地，所述镂空段的长度L2为1.1～1.3mm，宽度W2为0.1～0.2mm。

进一步地，所述镂空段的段数为140～150个，且所述实心段的段数与镂空段的段数相等。

采用上述结构后，本实用新型有益效果为：本实用新型所述的一种晶体硅太阳正面主栅电极，包括三条主栅线、以及与所述主栅线垂直的多条副栅线，所述主栅线等距且平行设置，所述主栅线包括镂空段、与所述镂空段相连的实心段；使用本实用新型时，由于其主栅线中包括镂空段，因此，可减小正电极覆盖在硅片上的面积，减小正电极与硅片的接触电阻，提高太阳能电池片的光电转换效率；而且，所述镂空段中的空心部分不再需要填充导电浆料，因此，节省了导电浆料，降低了太阳能电池片的制造成本。本实用新型具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是图1中A部的放大结构示意图；

附图标记说明：

1、主栅线； 2、副栅线； 3、镂空段； 4、实心段；

L1、实心段的长； L2、镂空段的长； W1、实心段的宽；

W2、镂空段的宽。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

如图1、图2所示，本实用新型所述的一种晶体硅太阳正面主栅电极，包括三条主栅线1、以及与所述主栅线1垂直的多条副栅线2，所述主栅线1等距且平行设置，所述主栅线1包括镂空段3、与所述镂空段3相连的实心段4；在本实施例中，使用该正面主栅设计，可有效降低正电极Ag浆的单耗，增大电池片的受光面积，减小正电极与硅片的接触电阻，进而提升太阳能电池片的光电转换效率，采用上述结构，本实用新型具有以下优点：单耗低：本新型分段网版印刷的单耗范围是0.11-0.13g，而现有直线电极的单耗范围是0.13-0.15g，单耗下降约10%-20%；短路电流有所提升：由于镂空主栅电极的使用，正面电极的印刷面积减少，从而使电池片的受光面积增大，电池片的短路电流有所提升；且本实用新型无需增添任何设备工装，既适用于不同档次的多种设备，又适用于多种各种规格的常规片，适于推广使用。

作为本实用新型的一种优选方式，所述实心段4的长度L1为1.5～1.7mm，宽度W1为0.1～0.3mm，本实用新型中，长度L1优选为1.6mm，宽度W1优选为0.2mm。

作为本实用新型的一种优选方式，所述镂空段3的长度L2为1.1～1.3mm，宽度W2为0.1～0.2mm，本实用新型中，长度L2优选为1.2mm，宽度W2优选为0.15mm。

作为本实用新型的一种优选方式，所述镂空段3的段数为140～150个，且所述实心段4的段数与镂空段3的段数相等。